基于SPS烧结制备的高效CZTS太阳能电池

来源 :第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong532
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  在磁控溅射中单靶溅射具有成本低、影响参数少和制备过程简单易重复等特点,目前在制备磁控溅射靶材制备上的报道较少。热压法制备溅射靶材,需要长时间的高温烧结,这不仅会造成能源的浪费,而且会加大靶材制备的难度。
其他文献
近年,随着各项太阳能电池技术的飞速发展,对应的单结电池效率逐渐逼近其可加工的极限,如单晶硅的效率26.6%已经持续多年未有刷新.一方面与其性能提升技术难度有关,另一方面其与单结器件的SQ 极限剩余空间极其有限(Δη~2.8%).
铜锌锡硫硒(CZTSSe)材料是一种直接带隙半导体材料,光吸收系数高达 104/cm,作为太阳能电池的吸收层,理论转换效率高达32%,是一种非常有发展潜力的光伏材料。作为高效铜铟镓硒电池的替代,铜锌锡硫硒太阳能电池最突出的优势就是元素组成丰富且无毒,这是进行商业化的大规模TW 级发电的潜在条件[1]。
By comparing optical spectral results of both Sn-rich and Sn-poor Cu2ZnSnS4(CZTS)with the previously calculated defect levels,we confirm that the band-tail states in CZTS originate from the high conce
有机-无机卤化物钙钛矿多晶薄膜的晶体内部,晶界以及表面存着大量的陷阱态,研究如何减少或钝化钙钛矿的陷阱态对获得高性能钙钛矿太阳能电池具有极其重要的意义[1]。
黄铜矿结构的铜铟镓硒(CIGS)太阳电池具有转换效率高、可见光吸收系数高、带隙可调、抗辐照能力强等优点。在传统CIGS 电池结构中是以CdS 作为缓冲层,然而有毒的重金属Cd 元素限制了CIGS 太阳电池的市场大规模生产。
铜锌锡硫硒太阳能电池的发展一直受限于自身巨大的开路电压损耗,同样近年来众多研究表明Sn 相关的深能级缺陷是开压损耗的主要来源,说明Sn 组分调控十分重要。
Kesterite-based Cu2ZnSn(S,Se)4 semiconductors are emerging as promising materials for low-cost,environment-benign,and high-efficiency thin-film photovoltaics.
大的开路电压损失(Voc,def)是制约锌黄锡矿结构的CZTSSe 太阳能电池效率提高的关键因素,目前12.6%世界纪录效率CZTSSe 电池的Voc,def 为0.345 V[1].本文分别以SnCl4 和SnCl2·2H2O 为锡的前驱体化合物研究二甲基亚砜(DMSO)溶液法制备的CZTSSe 太阳能电池的开路电压损失问题.
硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势,在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。
A processing based on CZTS or CZTSe quaternary target sputtering has been developed as alternative one [1-2].As the as-deposited precursor is usually crystallinity-poor and sulfur-poor,heat treatment,