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采用对接耦合外延、变脊宽加全息曝光技术,设计制作了四波长分布反馈激光器阵列与多模干涉耦合器(MMI)合波输出集成芯片。阵列器件的出射波长处于1550nm波段,阈值电流小于35mA,边模抑制比大于33dB,出光功率大于1.4mW。这是作者研制光子集成电路(PIC)芯片的初步尝试。
四波长DFB激光器阵列合波输出集成芯片
【摘 要】
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采用对接耦合外延、变脊宽加全息曝光技术,设计制作了四波长分布反馈激光器阵列与多模干涉耦合器(MMI)合波输出集成芯片。阵列器件的出射波长处于1550nm波段,阈值电流小
【机 构】
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Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2012年期
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