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MOS 器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐照总剂量、辐照剂量率、偏置条件、环境温度、器件氧化层工艺条件等因素；本文对上述物理过程的机理进行了探讨,并着重分析了温度与两类电荷(氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷)的变化关系。
MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应
【摘 要】
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MOS 器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐照总剂量、辐照剂量率、偏置条件、环境温度、器件氧化层工艺条件
【机 构】
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华南理工大学微电子研究所; 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室;
【发表日期】
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2004年期
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