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本文分析了高分辨X射线衍射的原理,计算了X射线在SiC材料中的穿透深度,通过对6H-SiC(0001)晶片不同加工后摇摆曲线及表面AFM的表征,研究了表面损伤层对摇摆曲线的影响,进而说明,如果要表征晶体的结晶质量,应在尽量祛除表面的损伤层的基础上进行.
SiC晶片表面加工对摇摆曲线的影响
【摘 要】
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本文分析了高分辨X射线衍射的原理,计算了X射线在SiC材料中的穿透深度,通过对6H-SiC(0001)晶片不同加工后摇摆曲线及表面AFM的表征,研究了表面损伤层对摇摆曲线的影响,进而说明,如果要表征晶体的结晶质量,应在尽量祛除表面的损伤层的基础上进行.
【机 构】
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北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京100190
【出 处】
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帕纳科中国第十届X射线分析仪器用户技术交流会
【发表日期】
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2008年7期
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