Pb1-xMnxSe材料的光学性质研究

来源 :2007年中国国际工业博览会科技论坛暨上海市激光学会2007年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:feng211314
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Pb1-xMnxSe是一种重要的Ⅳ-Ⅵ族三元混晶窄禁带半导体,其禁带宽度属于中红外波段。对于Pb1-xMnxSe材料,其禁带宽度随Mn含量的增加而增加,这为将其作为禁带可调的红外探测和发射材料奠定了基础。对Pb1-xMnxSe(x=0.038)材料进行了光学性质的实验研究。实验中所用的Pb1-xMnxSe薄膜材料是采用(111)CdZnTe材料作为衬底,在分子束外延系统中生长而成的。组分x值为0.038,组分的确定是利用组分与禁带宽度的关系。薄膜厚度约为1.65gin,室温下的载流子浓度和迁移率分别为5×1017和400 cm2/v·s。XRD实验表明薄膜材料为NaCl结构,具有(111)方向的择优取向。
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