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本工作进行了典型单片机电路800C196电路的总剂量辐射试验,研究了80C196电路的辐射损伤特性,典型失效模式和辐射敏感参数,并通过对CMOS器件总剂量辐射损伤的分析提出了大规模电路的辐射损伤参数表征方法.
大规模集成电路总剂量辐射损伤的参数表征
【摘 要】
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本工作进行了典型单片机电路800C196电路的总剂量辐射试验,研究了80C196电路的辐射损伤特性,典型失效模式和辐射敏感参数,并通过对CMOS器件总剂量辐射损伤的分析提出了大规模
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011
【出 处】
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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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2005年5期
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