【摘 要】
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本文首先就低温(140℃)下用Zn:Al合金靶直流反应磁控溅射法沉积ZnO:Al透明导电膜的工艺条件进行了优化研究.然后在单结(glass/SnO/pin/)或双结(glass/SnO/pin/pin/)非晶硅电池上沉积约70-700nm厚的ZnO透明导电膜,最后再用电阻蒸发法沉积Al电极.实验获得了较好的n/ZnO界面,实现了ZnO/Al背电极的增反作用,使电池的短路电流增加1-2mA/cm,光
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所(天津)
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本文首先就低温(140℃)下用Zn:Al合金靶直流反应磁控溅射法沉积ZnO:Al透明导电膜的工艺条件进行了优化研究.然后在单结(glass/SnO<,2>/pin/)或双结(glass/SnO<,2>/pin/pin/)非晶硅电池上沉积约70-700nm厚的ZnO透明导电膜,最后再用电阻蒸发法沉积Al电极.实验获得了较好的n<+>/ZnO界面,实现了ZnO/Al背电极的增反作用,使电池的短路电流增加1-2mA/cm<2>,光电转化效率提高1-2﹪(绝对效率),小点电池效率达到9.5﹪.
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室温下共蒸发沉积的ZnTe:Cu多晶薄膜存在反常电导温度行为.对刚沉积ZnTe:Cu多晶薄膜的暗电导温度行为,及不同温度退火处理后样品的结构进行了研究.用热场发射晶界势垒模型解释了实验结果.刚沉积的ZnTe:Cu多晶薄膜,铜原子主要存在于晶粒间界.随温度增加,铜原子离化并进入晶粒内部,导致ZnTe:Cu立方相→六方相→立方相的结构转变和类CuTe正交相的形成.铜原子离化使受主浓度增加,因而使晶界势
采用超声波喷涂CVD工艺在石英和硅片衬底上沉积出不同择优晶化的ITO(掺Sn的InO)薄膜.从300℃到500℃,选择衬底温度,可获得晶面(400)或晶面(222)或二者兼顾的平行于衬底的优化取向ITO薄膜,并采用Van der Pauw方法和XPS技术,研究了与择优晶化有关的薄膜的电学性质和结合能.
用共蒸发法制备了CdZnTe薄膜.研究了蒸发速率、衬底温度对薄膜成分(x值)的影响.用XRD表征薄膜结构,通过其电导——温度关系的测量,求出电导激活能:通过对不同x值样品的透射谱的测量,算出光能隙,确证CdZnTe薄膜能隙可调,可作为改进CdS/CdTe太阳电池结构的材料.
目前,制约太阳能发电应用及普及的重要原因之一是系统的价格昂贵.因此,本文作者提出了一种新的联网方式,并利用仿真技术对该系统的电力融通情况,经济效益情况等作了比较分析.
太阳能作为一种清洁能源,被人们所广泛利用于阳光发电和热能等领域.本文介绍了太阳能光伏亮化技术的发展状况、应用范畴、光伏亮化技术原理及配套设计,最后给出了太阳能光伏亮化的应用实例.
太阳能发光是最为清洁的能源形式,本文介绍了10KW光伏并网发电站的建设、系统构成、技术指标及系统保护功能.
就太阳模拟器的电光源的设计制作,研究脉冲氙灯的电学和光学性质,在脉冲氙灯的等效电阻的基础上确定需要氙灯的K,根据脉冲氙灯的发光光谱特性以及光谱与电流密度的关系确定通电电流,根据脉冲氙灯管压降确定通电电压,根据设计指标定制氙灯,实验,获得发光波形、发光光谱.
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介绍了一种晶体硅薄膜电池衬底用硅带的制备工艺——SSP(Silicon Sheet from Powder)颗粒硅带制备技术,并对工艺进行了优化,用工业级硅粉制备出厚度小于1mm的硅带;对硅带的表面形貌、结构性能作了初步分析.