碲化锗相关论文
新型二维碲化锗（GeTe）材料,具有类石墨烯褶皱结构,p型半导体,相关理论计算表明该材料具有优异的电子和光学性能,但受其自身结构限制,......
以Ge O2和Te O2为原料,通过低温共沉淀法制备出了结晶性良好、形貌均匀的Ge Te微晶。讨论了Na BH4:(Ge O2+Te O2)摩尔比、Ge O2:Te......
碲化锗(GeTe)是一种IV-VI族窄带隙半导体,在相变存储、热电、铁电等多个热点领域表现出优异的性能和广阔的应用前景。作为相变材料......
采用微机械剥离法得到横向尺寸为10μm的碲化锗(GeTe)纳米片.通过电子束曝光和真空溅射镀膜的方法,以钛金合金为接触电极,制备基于......
