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ZnOp-Si相关论文

退火对ZnO薄膜晶体结构和ZnO/p-Si异质结光电性质的影响

采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,分别在500℃、600℃和700℃下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜......

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异质结 ZnO ZnO/p-Si 薄膜光学薄膜晶体光电效应退火脉冲激光沉积退火温度光电性质

ZnO/p-Si异质结的I-V及C-V特性研究

通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其......

期刊

异质结 C-V I-V ZnO/p-Si 界面态正向电压整流特性内建电势光电探测载流子输运

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