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LN晶片相关论文
铌酸锂晶片的键合减薄及热释电性能研究
铌酸锂(LN)作为一种热释电材料,可以被用于制作光电探测器敏感单元的敏感层,但通常LN晶片厚度为0.5 mm,远大于光电敏感单元厚度的......
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LN晶片
键合
减薄
抛光
热释电性能
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