InN材料相关论文
我们对ZnO材料及其发光器件研究已十余年,近年来又了开展A1N、InN材料制备研究。ZnO研究方面:我们自行设计加工了znO生长专用MOCVD......
Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料因其在光电子器件以及高速晶体管领域的潜在应用价值而受到广泛的研究。InN是Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料的一种,......
确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时......