CMOS倒相器相关论文
本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散.这电路用一只实际的、纳米尺度的双极......
本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在(27～300℃)宽温区的瞬态特性.研究结果表明:当采用N+PN++和P+PP++结构薄膜SOI MOSFET组合,并且其......
在考虑了器件高温泄漏电流的前提下，建立了宽温区CMOS倒相器的传输特性模型，明确了制约CMOS电流高温性能的主要因素以及设计的关键之......
建立了6H-SiC材料和器件模型,应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H-SiC CMOS倒相器的温度特性进行了研究.研究结果表明,......
CMOS电路由于寄生结构的影响,在大电流的情况下,易发生闩锁效应。如有该效应发生,极有可能导致芯片烧毁。一般从电路设计和版图设......
