BN纳米管相关论文
BN纳米管(BNNTs)是一种与碳纳米管相似的管状结构材料,因其优异的力学强度、高的热导率、良好的热稳定性及化学稳定性、超疏水性及......
原位透射电镜技术通过对样品施加不同外场条件,既可以通过相机实时记录材料在外场条件下的结构变化,也可以通过外部控制器实现对材......
首先,我们利用基于第一性原理的密度泛函理论讨论了BN纳米管光吸收谱变化中较大的光学各向异性,以及这种表现对手性和管径的高度依赖......
本文以氨硼烷为先驱体,采用化学气相反应(CVR)法,在气氛压力烧结炉中成功地制备了BN纳米管。本文系统地研究了催化剂、温度、压强......
通过调研和总结一维纳米新材料领域的研究进展,把握前沿热点,寻找薄弱环节和突破口,结合我们的实际,围绕一维纳米新材料的合成与表......
1.碱金属填充的单壁碳纳米管的储氢机理实验上已报道了碱金属掺杂的碳纳米管储氢量有很大的提高,但是其储氢机理还没有搞清楚。本文......
笼状结构由于其结构特殊,具有小尺寸、表面界面丰富的特征,表现出一些常规固体不具有的反常物理性质。本论文发展sp3s*紧束缚模型,着......
利用一种新颖的催化生长方法,在生长BN纳米管的过程中直接引入F原子,获得了均匀F掺杂的BN纳米管.高分辨透射电子显微镜研究表明,构......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了电场对BN纳米管的电子结构的影响.首先对在不同电场强度下的纳米管几何结构进行了优......
最近,中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室王文龙、符汪洋、王恩哥等人在国家自然科学基金项目资助下,与日本国立材料研究......
Boron nitride (BN) nanotubes were simply synthesized by heating well-mixed boric acid, urea and iron nitrate powders at ......
以态密度为基础,通过计算系统增加一个电子时,产生的系统能量ΔE变化,以及把BN纳米管看成一个电容入载流子时的库伦效应,得到库伦......
以三氧化二硼为硼源,镁作为还原剂和促进剂,氯化亚铁为催化剂,在流动氨气中1500~1600℃制备出大量BN多壁纳米管。在扫描电镜(sEM)和高分......
通过高温热解聚合物前驱体方法制备Si掺杂BN纳米管.采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品的结构与形貌进行表征,结果表明......
最近,中国科学院物理研究所、北京凝聚态物理国家实验室王文龙、符汪洋、王恩哥等人与日本国立材料研究所(NIMS)的科研人员合作,在BN纳......
采用Tersoff势的分子动力学方法模拟了(10,0)BN纳米管的径向压缩,并与相应碳纳米管的压缩力学特性进行了比较;采用半经验PM3量子化学方......
氮化硼(BN)作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性,是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。而实现BN纳米管的掺杂......
介绍了BN纳米材料的研究进展、纳米材料的结构和制备技术发展状况,详细阐述了电弧放电、激光烧蚀、机械球磨、碳热法和化学反应法等......
采用密度泛函理论(DFT)研究了杂原子M(M=Li,Na,K,Be,Mg,Ca,C和Si)在B/N单空位缺陷处的掺杂对(6,0)BN纳米管体系非线性光学性质的影响.采......
文章综述了BN纳米管的最新进展,介绍了BN纳米管的结构和制备技术发展情况,包括电弧放电,电弧熔融,激光烧蚀,机械球磨,碳纳米管取代反应答......
采用AM1方法,本文系统地研究了扶手椅型单壁碳纳米管(C-NTs),BN杂化碳纳米管(BC2N—NTs)和全BN纳米管(BN—NTs)的结构,热力学稳定性,电离势(IP......
基于密度泛函理论中的B3LYP方法,在6-31+G(d,p)基组水平上理论研究限域BN纳米管中苯丙氨酸(Phe)分子手性对映体的转变过程.通过寻......
利用一种新颖的催化生长方法,在生长BN纳米管的过程中直接引入F原子,获得了均匀F掺杂的BN纳米管.高分辨透射电子显微镜研究表明,构......
采用机械球磨工艺,将块体的氧化硼在氮气气氛下先球磨100h,然后在1200℃、流动的氨气下热处理6h,成功的合成出竹节形貌的BN纳米管,......
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了稀土金属La吸附掺杂对单壁BN纳米管储氢性能的影响.通过分析计算结果得到,稀土金......
具有六角蜂窝状结构的二维材料,如石墨烯(graphene),氮化硼(BN)和三元碳硼氮(CBN)复合体系,因为其独特的结构和丰富的物理性质,使......
近年来,随着计算机水平的和密度泛函理论电子结构计算的快速发展,采用基于第一性原理的密度泛函理论从原子尺度理解材料的性质,设......
描述一种改进的常规电弧放电合成纳米管的方法,将纯氮气直接喷射至等离子体中可大大增加BN纳米管产量。利用透射电子显微术(TEM)表......
以球磨后的氧化硼和活性碳粉共同作基本原料,加入NaCl和Fe粉填加剂,用简单的碳热还原法,在1200℃、流动的氨气气氛中成功合成了大量的......
作为C微纳米材料的类似物,BN微纳米材料具有低密度、耐高温、抗氧化、生物相容性好等一系列优点,在紫外激光器件、生物传感器、复......
氮化硼(BN)是由ⅢA族元素B和VA族元素N化合而成的共价半导体材料,晶态氮化硼可分为以下四种:六方氮化硼(h-BN)、立方氮化硼(c-BN)、......