隧穿电子相关论文
里德堡态指的是原子或分子的一种状态。在该状态下,原子或分子中的一个电子被激发到主量子数较高的轨道。人们发现这些原子或分子......
从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料(GaAs/Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响,利用界面响应理论的格林函数方法,计算了局域......
在室温下利用扫描隧道显微镜观测了单个富勒分子在硅(111)-7x7表面的吸附取向。“六环”和“6-6键”富勒烯分子在Si(111)表面分别......
报道了对用射频磁控溅射法制备的钛酸锶铅(PST)薄膜隧道结进行的I-V特性的测量,发现有负阻现象,并首次用表面等离激元和极化波理论......
给出了一种利用FN振荡电流的极值，测量电子在薄栅MOS结构的氧化层中的平增有效质量方法，利用波的干涉方法来处理电了隧穿势垒的过程，......
