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以乙酰丙酮铱为沉积源物质,采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜,研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响.发现铱在钼基......
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从铱盐和配体2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮（thd）出发合成了一种新的β二酮前驱体Ir（thd）3,通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱等手段......
厚度为30 nm和60 nm的铱薄膜应用电子束蒸发硅(Si)和商用纯钛(CP) Ti的薄片而制成.铱薄膜的性能表明它与大片的由Ir和Ir氧化物培育......
