脉冲偏场相关论文
本文通过研究枝状畴形成的硬磁畴的转动行为,综合分析了脉冲偏场对形成正、负VBL链的影响,认为脉冲偏场的下降沿对应负VBL的形成,......
本文主要研究了磁泡点阵的形成条件.实验发现石榴石磁泡薄膜样品在系列脉冲偏场作用下可以形成规则的泡阵，泡阵呈六角密排结构.形成......
实验研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ＩＤ，ＩＩＤ）在系列脉冲偏场作用下的一些旋转行为以及丢失ＶＢＬ的现象。......
该文研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴在系列脉冲偏场作用下的行为，发现哑铃畴在系列脉冲偏场作用下，随脉冲偏场幅度的增加会出现改变......
实验研究了磁泡点阵的形成条件,发现石榴石磁泡薄膜样品在系列脉冲偏场作用下可以形成规则的泡阵,泡阵呈六角密排结构.形成泡阵的......
研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助. 3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定......
