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紫外线热氧化相关论文
P型NiO透明导电氧化物薄膜制备及其硅基二极管的研究
NiO是一种新型的宽禁带氧化物半导体,具有直接带隙能带结构,室温下的禁带宽度在3.6-4.0 eV之间。由于NiO特有的电子结构以及p型导......
学位
紫外线热氧化
NiO薄膜
NiO/Si异质结器件
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