磷锗锌相关论文
2 μm、中波红外(3～5 μm)和长波红外(8～12 μm)波段位于大气传输窗口和人眼安全范围内，涵盖众多气体原子和分子的共振吸收峰，在光谱学......
以高纯(99.9999％)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P0.5％配料,采用改进的单温区合成法和分级冷却技术合成出单相、致密的ZnGeP2......
两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶过程中,易生成一些高熔点的杂质,导致合成材料的纯度较低。选取ZnGeP2多晶合成过程中几个重要温度......
分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯......
两温区气相输运合成ZnGeP2多晶,易发生化学计量比偏离,产生Ge、Zn3P2等杂相,在合成坩埚(石英安瓿)内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物.通......
根据ZnGeP2(ZGP)晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观......
两温区气相输运合成ZnGeP2多晶,易发生化学计量比偏离,产生Ge、Zn3P2等杂相,在合成坩埚（石英安瓿）内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物.通过......
根据磷锗锌（ZnGeP2）晶体的生长特性,分析了ZnGeP2单晶生长对生长炉温场的要求。在两温区单晶生长炉的基础上,设计出适合ZnGeP2单晶生......
基于第一性原理密度泛函理论,采用广义梯度近似的赝势平面波方法计算了中红外非线性光学材料ZnGeP2晶体的几何结构,弹性常数和力学......
研究设计了ZnGeP_2多晶的合成装置,包括合成安瓿,合成炉结构与温场分布。利用自行设计的合成装置,采用两温区气相输运法进行ZnGeP_......
分析了磷锗锌（ZnGeP2）化学配比偏离产生的原因和对晶体造成的不良影响,提出了改进的方案。通过采用富P配料,提高生长料的装满度等措......
以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p......
两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶过程中，易生成一些高熔点的杂质，导致合成材料的纯度较低。选取ZnGeP2多晶合成过程中几个重要温度的......
根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为：......
采用富P配料工艺,通过改进的单温区合成法（MSTZM）合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料。用改进垂直布里奇曼法（MVBM）生长出尺寸为Φ20mm&......
关于非线性红外材料的研究与开发终于有了成果.人们获得了更多的红外辐射源(其波长可从中波红外一直到10μm以上的长波红外)并且开......
以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和......
采用高纯（6mol/L）Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法（HGF）生长出......
采用坩埚下降法生长出尺寸为Ф22mm×30mm 的磷锗锌（ZnGeP2）单晶体.分别采用真空P氛围和真空ZnGeP2多晶粉末包裹对生长的ZnGeP2......
按富P 0.5%配料工艺,采用改进的两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶原料,既简化了传统两温区法的装料工艺,又有效避免了合成安瓿爆炸,......
ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键。因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供......
根据ZnGeP2（ZGP）晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完......
运用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对垂直布里奇曼法生长的ZnGeP2晶体的轴向组成进行分析,发现晶体的成分不均匀。采用Rietvel......
通过改进ZnGeP2晶体的合成和生长工艺,获得了尺寸为24 mm×60 mm的ZnGeP2单晶体。采用X射线光电子能谱（XPS）对生长出的晶体轴......
在熔体法生长ZnGeP2单晶体的过程中,如何解决熔体与坩埚的粘连问题是一个研究关键。本文研究了石英坩埚的镀碳工艺,采用化学气相沉......
研究报道了坩埚下降法自发成核生长的ZnGeP2（ZGP）晶体光学器件定向加工新方法。即首先结合晶体的易解理面（（112）面、（101）面）和标准极图以......
对采用改进的垂直布里奇曼法生长出的磷锗锌（ZnGeP2）单晶体样品,在300 K,10 MeV高能电子束下进行辐照实验,测试辐照前后其红外透过率......
