SiGe异质结双极晶体管(Hetrojunction Bipolar Transistors，简称HBTs)，由于与Si标准工艺兼容、基区能带可裁剪，因此，具有高的性能/价格......

侧墙厚度及悬梁长度是SiGeHBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放......

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侧墙厚度及悬梁长度是SiGe HBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放......

该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵......

低噪声放大器(LNA)是现代无线通信系统中的重要模块,由于其在接收系统中所处的特殊位置,对高性能LNA的研制有重要的工程应用价值。......