砷化镓器件相关论文
本文研究了EMP对GaAs器件毁伤作用的机理,介绍了GaAs器件在EMP情况下的毁伤阈值和毁伤机理,并用实验验证器件软损伤的可靠性.......
本文在简单分析了当前建立专题数据库重要性的基础上,从 5 个方面介绍了开发砷化镓器件及其有关材料小型专题数据库的运行环境、数......
今年三月,飞利浦半导体公司专为 最新的1.8GHz无绳电话和蜂窝 电话推出全新系列的高性能低电压硅双极射频晶体管。这种晶体管采用......
据报道,Strategy Analytics进行的最新研究结果表明,尽管面向无线收发器集成电路的硅锗和CMOS取得了显著进展,但砷化镓器件仍在蜂......
一、前言掺铬半绝缘磷化钢单晶一般作为衬底材料,用于评价外延工艺生长的外延层的质量,也用于制造S管,场效应管,InGaAsP—InP异质......
恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦成立的独立半导体公司)近日推出业界领先的QU-BIC4 BiCMOS硅技术,巩固了其在射频领域的......
在砷化镓样品的自发辐射现象中引入了辐射复合系数的一般概念。对于高增益砷化镓光导开关中流注的自发辐射现象,依据求简单平均值......
近日消息,美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆,以满足军用和商用需求。该公司......
德克萨斯仪器公司期望在1989年初零批生产32位砷化镓微处理机,这种处理机每秒可处理2亿条指令,速度接近超高速计算机。 为了给砷......
美国无线电公司研制成一种砷化镓场效应晶体管,可用作微波开关。它可由1.5微米的红外光(通常可在普通的闪光束中发现)控制。器件......
本文描述了室温无磁场条件下,电子束在亚微米砷化镓器件中的输运特性,得到了放大增益。从而表明了利用亚微米器件放大毫米波是可行......
一、引言砷化镓微波振荡器实现的可能性不仅依赖于器件材料和电路,而且依赖于不断变化的器伴与电路的相互作用的界面。在低的占空......
集成电路问世近二十年来,在提高电路性能、集成度和降低成本等方面都取得了显著的成绩.1978年,64KRAM的研制成功标志着集成电路技......
在几个关键领域,GaAs器件优于硅器件,这告诉我们,这种化合物半导体在高级雷达,仪表,通信和数据处理系统中的应用将会明显增长。 G......
在计入杂质离化度影响的基础上,利用“电导率——杂质浓度”曲线计算了n～erfc,n—高斯,P—erfc和P—高斯分布的GaAs掺杂层的平均电......
一、引言对于砷化镓的电极金属正在大力进行研究。特别是由柯克斯等人所研究的 In-Ag-Ge 合金,甚至对低浓度的 N 型砷化镓也显示......
研究了一种新的可用于各种砷化镓器件工艺的砷化镓腐蚀液:H_3PO_4+H_2O_2+H_2O。实验证明,它优于现今常用的三种砷化镓腐蚀液(H_2S......
美国 Gould 已经宣布首次大规模生产出低噪声、高电子迁移率晶体管。这种器件使用砷化镓和铝镓砷化物的“超晶格”结构,允许增高......
尽管CMOS器件在速度上和砷化镓器件在集成度上有固有的优势,但双极ECL仍是速度关键的 VLSI 所选用的技术。从主计算机数据通路和......
1 引言 微波小功率低噪声晶体管和微波功率晶体管是机电部十三所传统的研究领域之一。作为主要的三端微波半导体器件之一的硅微波......
本文研究了C、X和KQ等波段体效应二极管的中子辐照损伤效应。实验观察到中子辐照环境中体效应二极管低场电阻变大,工作电流和射频......
本文介绍了中子辐照环境中,隧道二极管性能的退化,即谷电流增加,峰谷比下降、摆幅电压减少。用二次隧道效应理论解释了这种退化过......
介绍反应堆镉上中子辐照改性的掺铬砷化镓（ＧａＡｓ：Ｃｒ）和本征砷化镓（ＧａＡｓ）光电导探测器，研究了探测器的响应时间、粒子灵敏度及输出电流随镉上中子辐照......
军用电子设备和武器的小型化、模块化，大大提高了作战效能和使用可靠性。对于电子战系统来说，微电子技术使它无论在性能启号处理速度......
本文应用紫外光—臭氧处理方法对砷化镓晶片表面进行了氧化钝化处理,并应用于场效应晶体管的制作工艺中,对比测试了器件性能参数.......
“三网合一”的趋势和宽带有线电视网络的建设对放大器件的高频宽带放大性能和输出能力提出了越来越高的要求.砷化镓器件的出现给......
从３个器件说明氢，氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄......
低噪声ＧａＡｓ ＦＥＴ和功率ＧａＡｓ ＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效，直流偏置伏态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流ＩＤＳＳ的退化降低，据此提出了ＩＤＳＳ退......
大家知道,大约半个世纪以前,也就是在电子学发展的第一个阶段,真空电子管曾经风靡一时,收音机、电视机、甚至最初的计算机,都是用......
利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺.优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺.通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质......
本文介绍一个集成砷化嫁器件与电路模拟系统－ＧａＡｓＳＩＭ。该系统具有对用户友好的人机交互界以及功能较强的后处理，系统由二维的器件模拟，电路模......
在GaAs器件寿命试验中，器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究，介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常......
随着半导体工业的发展,现在已经可以生产用砷化镓或碳化硅材料为基片的新型大功率肖特基二极管。这篇论文描述了两个方面的内容,主......
<正> 说起砷化镓来,可能有些人觉得生疏、有些人不知道它是半导体材料,如果说它早已经进入我们的家庭生活,那更是出乎意料的事。现......
从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的......
无线通信的迅猛发展对射频技术提出了越来越高的要求，射频集成电路（RFIC）的出现极大的推动了无线技术的普及和应用。文章主要介绍了当......
