真空电弧沉积相关论文
采用磁过滤脉冲真空电弧共沉积方法,在单晶硅片上制备了系列Co-C纳米颗粒膜,对制备态薄膜进行了不同温度的真空退火处理.分别采用X......
The tetrahedral amorphous carbon films are attracting materials because of their properties similar to diamond,such as h......
采用双弯曲磁过滤阴极真空电弧沉积方法在传感器用P型单晶硅上制备ta-C膜,并通过实验测试的手段研究厚度对其组织及性能的影响.研......
本文对过滤阴极真空电弧沉积ta-c薄膜的前处理工艺中,采用高能量离子轰击基体表面对薄膜结合强度的作用进行了实验研究.......
采用磁过滤脉冲真空电弧共沉积方法,在单晶硅片上制备了系列Co-C纳米颗粒膜,对制备态薄膜进行了不同温度的真空退火处理.分别采用X......
本文研究了在Bulat-6多弧离子镀膜机上真空电弧沉积AlCrN薄膜的基础上,对AlCrN薄膜进行稀土元素复合而制备了AlCrREN薄膜,采用Al/RE......
本论文用离子束辅助真空电弧制备了nc-TiN和nc-ZrN薄膜、nc-TiN/CNx复合薄膜、nc-TiN/Cu和(nc-Ti,W)N/Cu多层薄膜。用X-射线衍射仪(XRD......
采用动态偏压和真空度控制方法,用真空电弧沉积技术制备Ti-N涂层,研究了动态参数条件对膜层组织与性能的影响.结果表明,动态参数控......
研究了用能量为3.0keV~4.0 keV,束流为80mA~200mA的低能氮和氩离子束对Ti膜进行轰击的作用以及用低能氮离子束对真空电弧沉积Ti-N膜......
硬质涂层对于减少工具,特别是刀具的磨损起着越来越重要的作用.TiN是目前使用的主要涂层.TiN涂层的改进工作主要集中在新的TiN基合金和多元复合......
该文从离子电流密度空间分布函数的角度出发,针对自由电弧沉积和磁场控制电弧沉积两种情况,分别提出了单斑点和多斑点计算模型,进行了......
本文描述了Langmiur静电探针测量系统的构成,该系统可用于等离子体特性的诊断。用该系统检测了等离子体沉积Ti薄膜过程中电子密度......
对真空电弧沉积的TiN薄膜表面化学组份、组织结构、形貌及库度分布进行了测试与分析。结果表明,薄膜中Ti、N两种元素原子比接近1:1,其它杂质元......
本文阐述了真空电弧沉积(VCD)的各种净化方法,并讨论了纯净化的真空电弧在非晶硅膜层沉积方面的应用,包括在制造太阳能电池方面的应用前景......
利用扫描电镜,分析了磁控电弧沉积的氮化钛膜微观形貌。实验表明,阴极磁场对膜层的形貌有显著的影响,合理的磁场设计可减少膜层中的宏......
介绍一种可用于沉积类金刚石薄膜的过滤式真空电弧沉积系统,研究了利用该系统制备的类金刚石薄膜的Raman光谱测试结果。实验表明,所设计的......
根据等离子沉积的原理,将原真空热处理炉改造成低压真空等离子沉积装置,采用过滤式阴极电弧沉积法分别在单晶硅和高速钢这两种基体上......
用Ti/Mo、Ti/W、Ti/FM复合靶和真空电弧沉积技术制备了三种多元多层膜,并对其组织结构与性能进行了研究.结果表明,多元复合靶与多......
依据阳极真空弧实验事实叙述了阳极弧的形成过程中所观察的基本现象。应用等离子体输运理论和Boxman-Goldsmith模型,对这一放电过程进行了分析,通过弧......
本文研究了过滤式阴极电弧沉积系统的稳弧工艺参数,通过正交试验获得最佳稳弧参数,并且研究了弯管内置挡板对宏观粒子过滤效果的影响......
研究了各种氧化工艺对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响.结果表明,TiN薄膜在400℃于不同时间整体氧化时,表面Ti液滴和TiN相发......
通过试验研究了在高速钢表面真空电弧沉积ZrN薄膜的组织与性能,分析了真空度和偏压条件对ZrN薄膜显微结构及性能的影响.......
用Ti/Mo,Ti/W和Ti/Me(Me为Fe-Cr-Al合金)复合靶采用真空电弧技术沉积了多元膜,并对成分离析效应及组织和性能进行了研究。结果表明,工作弧电流和阴极镶嵌体的弧斑......
利用自行研制的过滤式有极电弧沉积装置,在硅片和高速钢基体材料获得了类金刚石薄膜,分别采用扫描电镜,原子力显微镜、喇曼光谱以及磨......
文章通过氧化工艺对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响这一课题研究,指出在毕业论文的工作中,将专业知识运用到实际课题的研究中,......
采用电弧离子镀膜方法,以高纯石墨为碳离子源在PMMA树脂义齿表面沉积类金刚石膜.应用xps谱和Raman谱对膜层的结构进行了理论分析,......
研究了脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响。结果表明脉冲偏压幅值在50 0~ 1 70 0V ,脉宽比在 1 2 5~ 2 5的范围内 ,......