电过应力相关论文
以某重点型号工程上失效的KG25A电路的失效模拟和失效机理验证为例,重点说明元器件的一种重要失效机理-电过应力(EOS)损伤模拟试验......
随着半导体工艺技术的飞速发展,集成电路(IC)的集成度越来越高,电过应力(EOS)对其造成的影响也越来越大。针对IC产品进行合适的EOS......
为了研究电过应力对功率MOSFET可靠性的影响,分别对含有焊料空洞、栅极开路和芯片裂纹缺陷的器件进行失效分析与可靠性研究.利用有......
静电放电对微电子器件的危害越来越受到人们的重视。本文简介了静电的产生和抑制,介绍了人体模型、机器模型和带电器件模型及其模......
电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。......
