测试芯片相关论文
本文介绍了控制器/数据流和控制信号译码提前控制操作一个周期的设计方法.第一种设计方法是把芯片划分为控制器和数据通道两大部分......
本文介绍了YHFT-DX测试芯片的模拟验证中的片上测试模块的设计方法，本文以YHFT-DX测试芯片为例来阐述如何实现片上测试模块的设......
本文通过设计ESD测试芯片,验证四种ESD防护技术及其组合.芯片的整体构架采用锁相环加状态机的测试结构,最后流片采用DIP20封装.......
本文通过对IMS公司生产的集成电路测试系统ATS60e的介绍,讨论了数字集成电路(IC)测试方法及其在ATS60上的应用,并以大规模集成电路......
本文提出了一种高频存储器测试专用的扫描测试电路结构,该结构采用串行扫入数据,并行运算,串行扫出结果的流程,其中可调节的高频时......
集成应力传感测试芯片是测量片上应力分布的有力工具.本文研究基于(111)硅片的全分量MOSFET应力传感器.相比于压阻型,MOSFET具有灵......
目前,我国有很多台由网络分析仪和微波探针台组成的在片测试系统,测试芯片的S参数.本文介绍了在片测试的测量不确定度计算方法,并......
边界扫描技术几年前已开始应用于芯片和板级设计，边界扫描测试设备使用BSDL文件测试芯片或芯片之间的互连。仅当边界扫描逻辑的正确......
测试芯片作为集成电路制造工艺提取工艺器件参数，评估工艺设备性能，制定版图设计规则，检测工艺缺陷以及评估产品可靠性的重要手段，对缩......
在全定制电路设计中，工艺开发包是连接电路设计工程师和半导体制造商之间的桥梁。混合信号设计复杂度的日趋增加，开发工艺开发包并建......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
描述一种广泛应用于探索制程设计方面的系统性及随机性故障的短流程测试芯片与先进的检测工具平台相结合的综合方法.以对在65nm技......
新的工具、改良的设计方法学和更高层的抽象程度正在日益缩短芯片的设计和验证时间.然而,从获得第一块测试芯片到实现量产所需要的......
东芝、索尼及NEC电子3家公司共同开发出面向高速逻辑芯片的45nm工艺技术.使用这种工艺试制的用于特性评估的测试芯片表明,跟65nm工......
武汉新芯集成电路制造有限公司（ XMC ），一家迅速发展的300 MM 集成电路制造商，近日宣布其3D NAND 项目研发取得突破性进展，第一个具有9......
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描述一种广泛应用于探索制程设计方面的系统性及随机性故障的短流程测试芯片与先进的检测工具平台相结合的综合方法,以对在65nm技......
【正】 作为众多无加工线半导体开发公司的主要加工厂家,加利福尼亚州圣荷塞(San Jose)的台湾半导体制造公司(或台湾积体电路股份......
针对纳米级半导体制造工艺中传统测试芯片掩模面积利用率低的问题,提出一种基于模块化单元的可扩展成品率测试结构阵列设计方法.基......
Achronix宣布：已完成了其采用台积电（TSMC）16nm FinFET＋工艺技术的Speedcore eFPGA量产验证芯片的全芯片验证。通过在所有的运行情况下......
描述一种广泛应用于探索制程设计方面的系统性及随机性故障的短流程测试芯片与先进的检测工具平台相结合的综合方法，以对在65nm技术......
基于0．13μm部分耗尽绝缘体上硅（s0I）互补金属氧化物半导体（CMOS）32艺线，开发了全套0．13μm抗辐射SOICMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米......
为了充分检验某高性能DSP的CPU内核在65nm工艺下是否达到既定设计目标,对CPU内核进行了一次试流片,本文对测试芯片的设计与验证工......
据《国际半导体》（美）1994年第6期报道，英特尔公司和中国电子公司已经同意在中国进行技术合作，建立一个技术股份公司，将组装和测试英特......
期刊
对生成测试芯片效率进行研究，提出了一种采用版图编辑器作图和批量参数化建模设计方法。缩短了设计周期，降低了设计难度。依据该方法......
基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一......
在工艺开发包的验证过程中，需要手动地在版图编辑器中对参数化单元进行实例化和摆放绕线，由此产生大量测试芯片。为此，提出一种用于验......
测试芯片作为集成电路制造工艺提取工艺器件参数,评估工艺设备性能,制定版图设计规则,检测工艺缺陷以及评估产品可靠性的重要手段,......
集成电路制造技术的不断进步,给缺陷定位带来巨大的挑战。传统的测试芯片和现有的可寻址的方法都无法满足当前缺陷快速准确定位的......
<正>IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示,......
根据国际半导体技术发展蓝图(ITRS),集成电路已经进入“后摩尔”(More than Moore)时代,集成电路制造的工艺尺寸不断减小,国际最先......
随着集成电路产业进入“后摩尔”时代,集成电路的制造技术变得异常复杂,在生产过程中保证芯片的成品率面临着极大的挑战。在芯片制......
随着集成电路制造的工艺尺寸不断减小,集成电路制造工艺越来越复杂,由缺陷引起的成品率问题渐趋严重。晶体管的失配问题也因为工艺......
在系统芯片(SOC)设计中,伴随着数据处理需求的不断提升,高性能静态随机存储器(SRAM)所占的芯片设计面积比例逐渐增大。因此,如何提......
