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传统的SiO2栅极电介质材料无法克服MOS年特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响,作为进上步提高微电子器件集成度的途径,利用新一代具有高介......
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2作为MOSFET的栅介质材料已不能满足技术发展的需求。为......