异质结激光器相关论文
第六次窄禁带半导体国际会议于1992年7月19日至23日在英国南安普敦大学召开,会议的论文题录如下:
The Sixth International Conf......
报道了掺铒光纤放大器中降低掺铒光纤（ＥＤＦ）与单模光纤（ＳＭＦ）接续损耗的一种新方法．采用在芯区直径较小的掺铒光纤端部拉锥的方法，使得掺铒光纤中......
用于泵浦固体激光器的波长８０５～８１０ｎｍ的注入式激光器线列的辐射特性半导体激光器泵浦的固体激光器是激光物理和技术领域中很活跃的一个发展分......
半导体激光器是许多日常装置的关键部件。光纤通信和小型光盘驱动器可能是两个最为人熟知的例子，目前仍在世界范围努力研究与开发，以......
一、前言掺铬半绝缘磷化钢单晶一般作为衬底材料,用于评价外延工艺生长的外延层的质量,也用于制造S管,场效应管,InGaAsP—InP异质......
通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺,采用低压金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)生长了GaAsP/GaInP......
(作者署名后括号内为期数一页码)变水头大流里标准装置系统的数值分析 ””””””””‘”“””””·”“’‘”’‘””””......
美国第37届器件研究年会于1979年6月25曰至27日在博尔德的科罗拉多大学召开。会议由IEEE电子器件学会主办。
The 37th Annual De......
异质结半导体激光器问世以来已取得了很大的进展,目前已做到室温连续工作寿命十万小时以上.但是异质结激光器的工作大部份集中在A......
掺铬半绝缘磷化铟单晶一般作为衬底材料,用于评价外延工艺生长的外延层质量,也用于制造S—管,栅极场效应管和异质结激光器等器件......
GaAlAs隐埋异质结激光器已经和双极晶体管实现单片集成。异质结晶体管是通过激光器的掩埋层进行再生长形成的。激光器阈值电流的典......
我们通过电学微分特性分析了阈值电流低达14mA的、特征温度T_0高达127K且阈值电流较高的波长1.3μm InGaAsP隐埋异质结(BH)激光器......
本文研究了激光器芯片周围Au-Sn健合焊料层的表面上由老化引起的Sn须生长,还研究了主要在p-面向下键合的激光器中恰好在有源层下面......
GaAsP是制造发光二极管的重要材料,它的带隙能量可覆盖红、橙、黄、绿等范围,还可用作InGaP和InGaAsP的晶格匹配衬底.日本己利用Ga......
本文介绍了具有反应离子蚀刻腔面的1.5μm—波导 BH 激光二极管(LD)。此外,还介绍了 TiO_2掩模和 Cl_2—Ar 混合气体的应用。蚀刻......
本文介绍采用杂质感应混乱(IID)制作隐埋异质结(BH)激光器的新颖技术,该技术对制作高性能隐埋异质结量子阱激光器是一种十分简便可......
本文就近一、二年以来半导体光电器件制作技术的新工艺、新技术作了较全面的介绍。该文内容包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物的单晶膜的......
日本富土通实验室提出了一种新型异质结InGaAsP/InP激光器,即双重载流子限制(DCC)异质结激光器的工作原理并已得到实验证实。通过......
近年来,光电集成电路(OEIC)已成为众人瞩目的研究课题。本文报导了日本在发射器OEIC和接收器OEIC及其基本工艺的研究情况。
In re......
目前光纤通信全部采用半导体激光器(Laser diode简称 LD)做发射光源,光探测器也全部采用半导体光电探测器(Photo diode简称PD),但......
使用具有当代技术水平的1.3μm掩埋异质结激光器和造价低廉的匹配包层单模光纤,以565M6/s的速率,完成了75公里的无中继传输实验。......
近年来，随着信息技术的发展，传统的基于铜导线的电互连系统由于RC延时大、带宽受限以及功耗高等问题，已不能满足大容量数据传输的需求......
<正> 集成光学是研究集成光路理论和应用的一门新兴学科。六十年代以来,集成电路逐渐发展到超大规模集成电路阶段。这一突飞猛进,......
