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描述了用以进行n 沟道动态电位DTMOS半导体器件源极 /漏极载流子注入优化设计的实验结果 ,该器件制造采用了低成本 0 .15微米SOI和......
描述了用以进行n-沟道动态电位DTMOS半导体器件源极/漏极载流子注入优化设计的实验结果,该器件制造采用了低成本0.15微米SOI和SOC(......
描述了n-沟道动态电位DTMOS半导体器件的直流和高频特性,该器件制造采用了低功耗CMOS SOC工艺,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术.......
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