少子分布相关论文
本文给出了一种硅光电二极管响应率模型,考虑由于前区的非均匀掺杂引起的少子非均匀分布,分析了响应率相对于该少子分布的积分表达,在......
绝缘栅型双极晶体管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)器件因其具备良好的开关速度、较低的功耗和易于控制和驱动的特性而......