受主浓度相关论文
3.n~+在p上和p在n上的光电二极管结构的比较让我们设想一种典型的高质量n~+在p上(或p在n上)的HgCdTe光电二极管结构(见图1),这种......
研究了染料体系的光谱转换率、热效应和多重染料对灯泵染料激光器输出的影响；通过计算施主和受主的光谱转换率，得出系统中施主和受主......
在氢气气氛下对绝缘体表面进行热处理提高金属-绝缘体-金属（MIM）器件的I-V特性曲线的对称性，简化了该器件的制作工艺，并探讨底电极掺氮......
利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复......
通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到......
研究了不同气氛下(空气、氧气和氮气)248nm准分子激光辐照对ZnO薄膜光致发光谱和电学性质的影响;采用高斯线形对不同气氛下激光辐......
本文报道第一个沟道光电探测器的工作情况。这种仪器能象极高灵敏度的光电容探测器那样工作;用很低的功率(约20微微瓦)就可获得电......
引言汞扩散法MCT的p—n结,是利用组分偏离化学计量比形成的。超过化学计量比要求的汞原子系间隙原子,起施主作用,缺少汞就造成晶......
用离子注入Hg_(0.71)Cd_(0.29)Te形成的n—p结,其结构存在有离子注入损伤。在受主浓度为4×10~(16)cm~(-3)的p型衬底上,用Ar、B、A......
碲镉汞晶体的化学计量比和自由载流子浓度是通过热处理来调整的。即是在组分的蒸汽下,从接近固化温度时慢慢冷却到室温。碲镉汞保......
硅的中子嬗变掺杂(NTD)已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面巳被公认是一个好......
采用红外吸收法测定熔体生长掺硅的GaAs单晶的补偿比。实验结果表明:当2×10~17...
本文分析了Fe在InP晶体中的补偿过程,其中存在着一个从低阻N型半导体向半绝缘体过渡的过程。对掺Fe-InP晶体的电阻率ρ与掺入的Fe......
本文采用 Zn_3P_2作扩散源进行真空闭管扩散,对锌在 InP 单晶中的扩散行为作了研究。通过实验给出了扩散系数与温度的关系,并得到......
本文报道了用水平三温区炉制备高纯砷化镓单晶的工艺和砷化镓单晶热处理前后的电学性质。两年来的实验结果表明,经过适当的热处理,......
一、引言随着InP光电器件的发展,尤其是长波长InGaAsP/InP异质结的光源器件和探测器的进展,对P型InP(InGaAsP)材料的欧姆接触特性......
本文涉及的是锑化铟红外探测器及其制造方法。在一片n 型锑化铟衬底上扩散一层p 型材料,层厚为1到5微米,受主浓度很高,为镉或锌提......
本征载流子浓度n_i是组分的函数,如果同时考虑到杂质和缺陷对载流子浓度的影响,就可能用载流子浓度来判别样品的组分。假设施主和......
本文通过类胡罗卜素(Car)、叶绿素A(chla)之间的敏化荧光研究,估算了能量供、受主之间的传递效率,讨论了能量受主浓度对传递效率......
本文叙述了用液相外延方法制作的GaInAsSb/GaSb p-n结光电二极管。通过掺Te补偿四元层获得了低的净受主浓度,在2.2μm波长下室温外......
用红外局域模方法测定了8个不同的不掺杂半绝缘GaAs样品的含碳(C_(As))量,发现碳浓度均小于5.20×10~(14)cm~3。由1.1μm红外吸收......
研究了热解氮化硼坩埚中液封直拉生长的非掺杂半绝缘砷化镓单晶,主要浅受主碳的浓度决定于 B_2O_3液封剂中的水含量,干燥的 B_2O_3......
美国Rockwell国际微电子研究与发展中心利用电子顺磁共振光谱(EPR)法对非掺杂LECGaAs晶体中的Ga位As(As_(Ga))反位缺陷进行了鉴定......
本文利用ZnAs_2、ZnAs_2+Cd作扩散源,研究了Zn、Zn-Cd在In_xGa_(1-x)As中的扩散。给出了扩散温度和扩散时间,扩散源的种类和材料的......
本文用Zn_3P_2源在闭管条件下研究了Zn在InP中的低温(520—700℃)扩散。比较了用“等温”扩散和“双温区”扩散技术扩散后,样品的......
用电化学方法测量Cu-Ni合金镀层在1 mol/L的NaOH溶液中的Tafel、EIS和Mott-Schottky曲线,研究了镀层钝化膜的电化学性能,并借助点......
本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触......
高效的给-受体(DA)能量传输材料体系被公认为有机激光器中的重要组成部分.基于F(o)rster传输和受激发射的理论,我们提出了一种在DA......
利用电容测量技术,基于Mo~-Sckottky分析,研究了在0.5 mol·L-1H2SO4溶液中铬表面氧化膜的半导体性质,以及膜形成条件的影响.......
高效的给-受体（DA）能量传输材料体系被公认为有机激光器中的重要组成部分。基于Frster传输和受激发射的理论,我们提出了一种在DA系......
修正了有关文献给出的关于光折变晶体响应时间的统一解折表达式。全面地分析了光折变晶体固有参数对响应时间的影响，并通过实验进行......
