双靶共溅相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

双靶共溅相关论文

Sb2Se3和Se双靶共溅射制备硒化锑薄膜电池

硒化锑（Sb2Se3）由于其无毒,材料的丰富以及合适的禁带宽度和较高的吸收系数近些年引起了大家的广泛关注。但是在Sb2Se3制备过程中,Se......

会议

Sb2Se3 Se 双靶共溅薄膜电池

磁控溅射法制备六方氮化硼薄膜及其原位掺杂的研究

六方氮化硼（hBN）是一种人工合成的宽禁带半导体材料,禁带宽度达到了6eV,属于准直接带隙材料。其具有许多优异的物理和化学性质,并且,......

学位

宽禁带半导体六方氮化硼原位掺杂射频磁控溅射双靶共溅

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