双δ掺杂相关论文
半导体技术在经过几十年的发展之后，元素半导体和化合物半导体成为半导体领域中两类主要的半导体。硅半导体器件和集成电路占据了半......
针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层......
用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构......
针对高电子迁移率晶体管（HEMT）器件，分析了双6掺杂GaAsHEMT的结构组成，基于固源分子束外延方法制备了双占掺杂GaAsHEMT的缓冲层、沟道......
