搜索筛选:
搜索耗时0.9088秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1,000 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：,
来源：Bulletin of the Chinese Academy of Sciences 年份：2004
The Albert Einstein Visiting Professorship of the Chinese Academy of Sciences (CAS) is designed to enhance...
[期刊论文] 作者：胡紫怡,
来源：传媒传播 年份：2004
By analyzing Albert Memmi's concepts from The Colonizer and the Colonized, this article will be...
[期刊论文] 作者：陈俊,张书明,张宝顺,朱建军,冯淦,段俐宏,王玉田,杨辉,郑,
来源：中国科学E辑 年份：2004
The influence of growth pressure of GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN on α-Al2O3 has been...
[期刊论文] 作者：Liu Zhe,Wang Junxi,Wang Xiaoli,
来源：稀土学报（英文版） 年份：2004
The surface morphology of GaN grown by MOCVD on GaN/Si template was studied....
,GaN Growth with Low-Temperature GaN Buffer Layers Directly on Si(111) by Hydride Vapour Phase Epita
[期刊论文] 作者：YU Hui-Qiang(俞慧强),CHEN Lin(陈琳),ZHANG Rong(张荣),XIU Xiang-Qian(修向前),XIE Zi-Li(谢自力),YE Yu-Da(叶宇达),GU Shu-Lin(顾书林),SHEN Bo(沈波),SHI Yi(施毅),ZHENG You-Dou(郑有蚪),
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2004
GaN films are grown on Si(111) with low-temperature GaN (LT-GaN) layers as buffer layers by hydride vapour...
[会议论文] 作者：张荣, 修向前, 陆海, 陈鹏, 谢自力, 刘斌, 韩平,,
来源： 年份：2004
HVPE是近年来收到高度重视的GaN生长方法。由于它具有生长速率高、生长质量优良等特点,是目前发展GaN自支撑衬底、GaN模板和部分低成本器件的优选方法。本文将综述GaN的H...
[期刊论文] 作者：冯倩,王峰祥,郝跃,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN:Mg薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现:两种样品均处于张力作用之下,但是GaN:Mg样品却由于Mg的...
[期刊论文] 作者：LIN Min,WANG Gang,CHEN Tian-Lu,
来源：理论物理通讯（英文版） 年份：2004
A modified Olami-Feder-Christensen model of self-organized criticality on generalized Barabási-Albert...
[期刊论文] 作者：谢世勇,郑有,陈鹏,张荣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度...
[期刊论文] 作者：CHEN Chang-chun,CAO Jian-qing,,
来源：核技术 年份：2004
GaN film grown on Si substrate was characterized by Rutherfordbackscattering/Channeling (RBS/C)....The experimental results show that the thick-ness of GaN epilay...
[学位论文] 作者：肖冬萍,
来源：中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所 年份：2004
GaN材料的禁带宽、击穿电压高、电子饱和速度高、稳定性和导热性好,这些优良的材料性能使AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高频、大功率方面有很大的应用前景.该论...
[学位论文] 作者：卢佃清,
来源：南京大学 年份：2004
长期以来，GaN体材料的生长一直是人们追求的目标。由于热力学性质的限制，GaN体单晶的生长面临极大的困难。外延生长方法是研究的重点，但由于缺乏与之匹配的衬底，致使外延GaN材料...
Self-organized Criticality in a Modified Evolution Model on Generalized Barab si-Albert Scale-Free N
[期刊论文] 作者：LIN Min,WANG Gang,CHEN Tian-Lu,
来源：理论物理通讯（英文版） 年份：2004
A modified evolution model of self-organized criticality on generalized Barabási-Albert (GBA) scale-free...
[期刊论文] 作者：WANG Xinzhong,YU Guanghui,LEI,
来源：稀有金属 年份：2004
A high-quality GaN film was (W-GaN) grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on metalorganic chemical...vapor deposition (MOCVD) GaN templates with a tungsten...
[学位论文] 作者：王军喜,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2004
该论文的主要目的是用MBE方法研制GaN基微电子材料并制作高性能GaN基HEMT器件.研究的主要内容包括对蓝宝石衬底上GaN材料的外延生长研究和GaN极性的实验研究;对AlGaN/GaN HEM...
[期刊论文] 作者：顾子悦, 吴灯鹏, 程新红, 刘晓博, 俞跃辉,,
来源：微波学报 年份：2004
GaN射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G通信应用需求。文中在高阻硅基GaN外延片上研制了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(Hig...
[期刊论文] 作者：马洪磊,杨莺歌,刘晓梅,刘建强,马瑾,
来源：功能材料 年份：2004
由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点.本文简要介绍了GaN薄膜的制备、衬底选择、掺杂、缓...
[期刊论文] 作者：张荣,
来源：发光学报 年份：2004
研究了在刻有图形的GaN"衬底”上用HVPE方法侧向外延生长(ELO)GaN的结构特性.在SiO2衬底上侧向外延生长GaN已经实现,并得到了平面的ELO GaN薄膜.采用扫描电子显微镜、透射电...
[期刊论文] 作者：王瑞敏,陈光德,LIN J Y,Jang H X,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了MOCVD生长的GaN及掺Mg GaN薄膜从78到578K下的喇曼散射谱.在GaN和掺Mg GaN的谱中都观察到一个位于247cm-1的峰,此峰被认为是缺陷诱导的散射峰,而非电子散射和Mg的局域...
[期刊论文] 作者：李雪,
来源：红外 年份：2004
随着GaN基紫外材料的日益成熟,GaN基紫外探测器发展迅速,被认为是和发光二极管、激光器同样重要的器件.本文讨论了紫外探测的意义,介绍了国内外近期研制的各种器件结构的GaN...
相关搜索：
