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Efficacy of Chinese medicine Yi-gan-kang granule in prophylaxis and treatment of liver fibrosis in r
[期刊论文] 作者：Xi-XianYao Shu-LinJiang You-We,
来源：世界胃肠病学杂志：英文版（电子版） 年份：2005
AIM: To investigate the efficacy of a Chinese medicine, Yi-gan-kang granule (granules for benefiting...
Efficacy of Chinese medicine Yi-gan-kang granule in prophylaxis and treatment of liver fibrosis in r
[期刊论文] 作者：,
来源：World Journal of Gastroenterology 年份：2005
AIM: To investigate the efficacy of a Chinese medicine, Yi-gan-kang granule (granules for benefiting...
Efficacy of Chinese medicine Yi-gan-kang granule in prophylaxis and treatment of liver fibrosis in r
[期刊论文] 作者：Xi-Xian Yao,Sbu-Lin Jiang,You-Wei Tang,Dong-Mei Yao,Xin Yao,
来源：世界胃肠病学杂志（英文版） 年份：2005
AIM: To investigate the efficacy of a Chinese medicine, Yi-gan-kang granule (granules for benefiting...
[期刊论文] 作者：薛松, 韩彦军, 吴震, 罗毅,,
来源：半导体学报 年份：2005
采用多种传输线模型方法，测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率．通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异，得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻...
[期刊论文] 作者：吕国伟,唐英杰,李卫华,黎子兰,张国义,杜为民,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2005
通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaN/GaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响. 观测到退火后InGaN/GaN量子阱...
[期刊论文] 作者：戴宪起,黄凤珍,郑冬梅,
来源：半导体学报 年份：2005
利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场和量子点的三维约束效应，研究了Al含量对局域在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响．结果表明，随着Al含量的增加，GaN／AlxGa1-xN异质界面处...
[期刊论文] 作者：韩乐, 赵磊,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2005
通过分析GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的交叉饱和特性作了理论上的计算与分析.并给出了TE和TM模自身交叉与相互交叉的交叉饱和系数的曲线,分析了能带结构和...
[期刊论文] 作者：秦琦,于乃森,郭丽伟,汪洋,朱学亮,陈弘,周均铭,
来源：物理学报 年份：2005
采用低压MOCVD系统,在生长过程中使用SiNx原位淀积的方法产生纳米掩模,并在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.使用拉曼光谱和光荧光的手段对GaN外延膜中的...
[期刊论文] 作者：韩培德,贾虎生,梁建,鲍慧强,王丽萍,迟美,许并社,
来源：材料热处理学报 年份：2005
使用转移矩阵方法计算了GaN/C60多层膜一维光子晶体的带隙结构.计算结果表明,由厚度分别为21nm、49nm的GaN、C60薄膜组成的多层膜结构,在中心带隙为6.46eV处有一不完全的光子...
[期刊论文] 作者：洪灵愿,刘宝林,
来源：集美大学学报(自然科学版) 年份：2005
从理论上推导出分布布拉格反射器(DBR)反射率的计算公式,分析了GaN基材料DBR反射率与单层膜折射率、多层膜的对数、单层膜的厚度等的关系,发现20对AlN/GaN构成的1/4波长DBR的...
[期刊论文] 作者：沈晓明,王玉田,王建峰,刘建平,张纪才,郭立平,贾全杰,姜晓,
来源：半导体学报 年份：2005
采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究．极图研究表明，低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶．在X固定为55°时的{111}φ扫描中发...
[期刊论文] 作者：孟焘,朱贤方,王占国,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2005
GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见.鉴于此,本文综述...
[期刊论文] 作者：刘畅,袁菁,钟志亲,伍登学,龚敏,
来源：半导体光电 年份：2005
研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理.从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流...
[期刊论文] 作者：,
来源：Science in China(Series F:Information Sciences) 年份：2005
AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures were grown on 2 inch sapphire substrates...
[学位论文] 作者：王志宇,,
来源：河北大学 年份：2005
本文报告了采用全带多粒子Monte Carlo 方法模拟纤锌矿相GaN 体材料空穴输运特性的研究结果。首先介绍了纤锌矿相GaN 材料的结构特性和全带多粒子Monte Carlo 方法的原理,并...
[期刊论文] 作者：申屠伟进,胡飞,韩彦军,薛松,罗毅,钱可元,
来源：光电子·激光 年份：2005
基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背...
[期刊论文] 作者：沈晓明,王玉田,王建峰,刘建平,张纪才,郭立平,贾全杰,姜晓明,胡正飞,杨辉,梁骏吾,
来源：半导体学报 年份：2005
采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN 薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}φ扫描中...
Synthesis of GaN nanorods on Si substrates with assistance of the volatilization of ZnO middle layer
[期刊论文] 作者：ZHUANGHuizhao GAOHaiyong XUECh,
来源：稀有金属：英文版 年份：2005
GaN nanorods have successfully been synthesized on Si(111) substrates via ammoniating ZnO/Ga2O3 films...
Synthesis of GaN nanorods on Si substrates with assistance of the volatilization of ZnO middle layer
[期刊论文] 作者：Zhuang Huizhao,Gao Haiyong,Xue Chengshan,WANG Shuyun,DONG Zhihua,HE Jianting,
来源：稀有金属（英文版） 年份：2005
GaN nanorods have successfully been synthesized on Si(111) substrates via ammoniating ZnO/Ga2O3 films...
[期刊论文] 作者：姬小利, 江若琏, 李亮, 谢自力, 周建军, 刘斌, 韩平,
来源：激光与红外 年份：2005
设计了反射中心波长为500nm的Al0.3Ga0.7N/GaN和AlN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟.采用金属有机物化学气相淀积(M...
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