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[期刊论文] 作者：张超 供稿,
来源：中学生英语·中考指导版 年份：2016
One day Albert Einstein had to be in bed， because he was ill. His father went to town on business....His father thought， “Ah， that might interest Albert， pe...
[期刊论文] 作者：段小玲,张进成,肖明,赵一,宁静,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
A novel groove-type channel enhancement-mode AlGaN/GaN MIS high electron mobility transistor(GTCE-HEMT...)with a combined polar and nonpolar AlGaN/GaN heterostuctu...
[期刊论文] 作者：Jiayun XIONG,Chao YANG,Jie WEI,Junfeng WU,Bo ZHANG,Xiaorong LUO,,
来源：Science China(Information Sciences) 年份：2016
A novel reduced surface field (RESURF) Al GaN /GaN high electron mobility transistor(HEMT)with charged...
Comparison of GaN/AlGaN/AlN/GaN HEMTs Grown on Sapphire with Fe-Modulation-Doped and Unintentionally
[期刊论文] 作者：巩稼民,王权,闫俊达,刘峰奇,冯春,王晓亮,王占国,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) grown on Fe-modulation-doped(AID) and unintentionally...doped(UID) GaN buffer layers are investigated and comp...
The 2016 Albert Lasker Basic Medical Research Award: Oxygen sensing—a mysterious process essential f
[期刊论文] 作者：Ziru Li,Weizhen Zhang,,
来源：Science China(Life Sciences) 年份：2016
The 2016 Albert Lasker Basic Medical Research Award honors three physician-scientists:William G.Kaelin...
[期刊论文] 作者：黄宇亮,张连,程哲,张韵,艾玉杰,赵勇兵,路红喜,王军喜,李晋闽,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
We report a selective area growth(SAG) method to define the p-GaN gate of AlGaN/GaN high electron mobility...
[期刊论文] 作者：郑梅,黄和平,,
来源：热加工工艺 年份：2016
GaN材料是制造LED应用最为广泛的材料之一。本文概述了GaN材料的主要生长技术,比较了他们的原理和优缺点,并对今后的发展做了展望。...GaN material is one of the most widel...
[期刊论文] 作者：吕元杰,冯志红,宋旭波,张志荣,谭鑫,郭红雨,房玉龙,周幸叶,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的Al-GaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件...
[期刊论文] 作者：XUMing-sheng,ZHANGHeng,ZHOUQuan-bin,WANGHong,
来源：OptoelectronicsLetters 年份：2016
The influence of p-type GaN (pGaN) thickness on the light output power (LOP) and internal quantum efficiency...The LOP of GaN-based LED increases as the thickness of pGaN layer...
[期刊论文] 作者：杨小丽,徐伟,张新叶,杨希濮,房磊,刘钧,,
来源：石油地质与工程 年份：2016
乌干达Albert湖盆南区K油田为中-高渗类型储层,非均质性较强。主要运用37 m岩心及280样次的薄片、粒度、扫描电镜、X-衍射、压汞、以及物性等化验分析结果,对储层进行层内、...
[学位论文] 作者：陈协助,,
来源：西南交通大学 年份：2016
由于GaN材料在高温、光电子、大功率、微波射频等领域表现出诸多的优势,GaN半导体技术在近20多年得到了快速发展。特别是GaN材料外延技术的发展,让GaN基器件得到了飞速发展。...
[学位论文] 作者：李水明,,
来源：华中科技大学 年份：2016
自1993年第一支GaN基电子器件发明以来,以AlGaN/GaN异质结为核心的高电子迁移率晶体管在近二十年内得到了快速发展。然而,目前GaN基电子器件成本高昂,市场空间较小,相比于GaN...
[期刊论文] 作者：吕元杰,冯志红,宋旭波,张志荣,谭鑫,郭红雨,房玉龙,周幸叶,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）.基于MOCVD外延n^＋GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩...
[会议论文] 作者：刘双韬,赵德刚,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
GaN基半导体材料由于独特的物理性质使得其在LED以及LD器件中得到了越来越多的重视,具有广泛的应用前景。...在GaN基器件中,P型GaN高的电阻率和低的迁移率已经成为了限制GaN基器件发展的一个瓶颈问题,因此对于P-GaN的研究显得尤为重要。...
[期刊论文] 作者：,
来源：半导体信息 年份：2016
未来器件的战争将会在GaN/SiC或者是GaN/Si之间打响。今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。GaN已经在大部分高功率军事应用...
[期刊论文] 作者：谢涌,Paul Brohlin,,
来源：今日电子 年份：2016
将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且简化基于GaN的功率级设计。氮化镓（GaN）晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当压...
[期刊论文] 作者：全汝岱,张进成,薛军帅,赵一,宁静,林志宇,张雅超,任泽阳,郝跃,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
GaN-based heterostructures with an InAlGaN/AlGaN composite barrier on sapphire(0001)substrates are grown...
[学位论文] 作者：何晓光,
来源：中国科学院大学 年份：2016
攻读博士学位期间作者在理论分析、数值模拟和材料生长方面选取了几个可能制约GaN HEMT发展的问题进行了研究，取得了一定成果，略述如下: 1.研究GaN HEMT结构中二维电子气的...
[学位论文] 作者：梁剑锋,,
来源：南昌航空大学 年份：2016
本文主要研究掺杂GaN和GaN/ZnO异质界面的光电性质。采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过Material Studio模拟软件中的CASTEP模块对模型进行光电性质方面的计算。主要...
[学位论文] 作者：李龙,,
来源：上海应用技术大学 年份：2016
目前市场上的GaN基LED都是c面GaN基LED,也就是极性GaN基LED。但是,作为铅锌矿结构的GaN在(001)方向上由于原子数目不相等,存在着自发极化现象,同时也存在压电极化,受极化电场...
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