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Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN/GaN
[会议论文] 作者：Xinhua Wang,Sen Huang,Yingkui Zheng,Ke Wei,Xiaojuan Chen,Xinyu Liu,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
The effects of GaN channel layer thickness on dc and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs with a state-of-the-art...composite AlGaN/GaN (1/1 μm) buffer were systematically investigated.Although HEMTs with...
[期刊论文] 作者：Zhixin Qin,Xinqiang Wang,Jiejun Wu,Tongjun Yu,Xiangning Kang,Xingxing Fu,Wei Yang,Zhijian Yang,Zhizhao Gan,
来源：Chinese Science Bulletin 年份：2014
In order to solve the problems of GaN heteroepitaxy on sapphire substrate,some techniques were explored.Freestanding...GaN substrates have been made by hydride va...
[期刊论文] 作者：孙华良,,
来源：海洋与渔业·水产前沿 年份：2014
Albert博士认为应以生产来主导，学术配合生产。...
[期刊论文] 作者：付丙磊,刘乃鑫,刘喆,李晋闽,王军喜,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
The advantages of In GaN/GaN light emitting diodes(LEDs) with p-GaN grown under high pressures are studied.It...
[期刊论文] 作者：LI FengHua,GAO Xu,YUAN YuanLin,
来源：中国科学：技术科学英文版 年份：2014
GaN PIN betavoltaic nuclear batteries are demonstrated in this work.GaN epitaxial layers were grown on...2-inch sapphire sub-strates by MOCVD,and then the GaN PIN...
[期刊论文] 作者：FENG Xiang-Xu,LIU Nai-Xin,ZHANG Ning,WEI Tong-Bo,WANG Jun-Xi,LI Jin-Min,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2014
We clarify the effect of the stress in GaN templates on the subsequent AlInGaN deposition by simply growing...150hm AlInGaN on a 30μm GaN template (sample 1) pre...
[学位论文] 作者：王晓翠,,
来源：河北工业大学 年份：2014
由于厚的GaN膜可有效降低位错密度，因而生长厚膜GaN已成为近几年的研究热点。...本文利用生长速度较快的氢化物气相外延（HydrideVapor Phase Epitaxy，HVPE）法生长GaN厚膜，为了提高GaN...
[期刊论文] 作者：海信,
来源：光源与照明 年份：2014
今年10月份的LED杂志（LEDmagazine）刊登了三种MR16产品之间的性能比较，它们分别是：卤钨灯、SiC基板上生长的GaN（CREE制造）和在GaN上生长GaN的同质氮化镓（rhSORRA公司制造...
[期刊论文] 作者：李俊泽,陶岳彬,陈志忠,姜显哲,付星星,姜爽,焦倩倩,于彤军,张国义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
The high power GaN-based blue light emitting diode(LED) on an 80-μm-thick GaN template is proposed and...
[会议论文] 作者：桑玲,朱勤生,杨少延,刘贵鹏,李辉杰,刘舒曼,王占国,郝跃,沈波,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
The band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaNheterojunctionsare measured by x-ray photoemission...spectroscopy.A large forward-backward asymmetry is observed in the non-polar GaN/AlN and AlN...
[会议论文] 作者：冯志红;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
随着GaN基电子器件的应用逐渐向更高频、更大功率和更快速度推进,传统的以AlGaN/GaN异质结为核心的HFET器件开始遭遇瓶颈,探索新型GaN基异质结外延材料势在必行。由于InA...
[学位论文] 作者：张效玮,,
来源： 年份：2014
GaN材料卓越的电学特性使得GaN基HEMT器件日益成为毫米波功率器件的重要选择。本论文首先概括了GaN基HEMT器件的国内外发展现状，提出了毫米波GaN基HEMT器件的研究意义；并对GaN...
[会议论文] 作者：杨华,谢自力,修向前,赵红,陈鹏,张荣,施毅,韩平,郑有炓,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
由于GaN纳米材料具有不同于体材料的独特性质及其在电子学、光子学、超高密度存储等方面的广泛的应用前景,近年来关于GaN纳米结构的研究越来越受到人们的关注,一种新的GaN纳米结构的制备方法迅速跃入人们的视野...:用自组织的镍纳米岛作为掩膜来进行GaN纳米结构的制备.本文采用上述方法进行GaN纳米柱的制备....
[学位论文] 作者：张燕峰,,
来源：北京工业大学 年份：2014
GaN LED可靠性的评价是器件在应用前必须解决的问题。随着工艺和技术水平的提高，GaN LED器件的可靠性越来越高。目前，GaN LED器件可以有效工作十年以上，这就使得评价GaN LED器件...
[会议论文] 作者：程立文,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
设计了一种GaN-A1GaN-GaN的特殊势垒结构,并将这种特殊势垒结构来替代传统的InGaN发光二极管的最后一个GaN势垒.研究发现含有这种特殊势垒结构的LED在不使用传统的电子阻挡层的情况下,有更好的光电特性...
[期刊论文] 作者：李佳,吴东旭,罗晓菊,程宏斌,郑学军,,
来源：电子元件与材料 年份：2014
采用Ga2O3/GaN、Ga2O3和GaN三种镓源,通过化学气相沉积(CVD)法,在镀有Ni催化剂的Si(100)基片上制备了GaN纳米线,使用SEM、XRD、EDS、HRTEM和PL对样品的形貌、结构...
[会议论文] 作者：倪毅强,贺致远,杨帆,姚尧,周德秋,吴志盛,张佰君,刘扬,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
本文研究了不同等效Al组分的AlN/GaN超晶格缓冲层结构对Si衬底上GaN外延材料(图la)特性的影响.其中超晶格中的等效Al组分被定义为Al％=dAlN/(dAlN+dGaN)× 100％.我们通过改变...AlN或者GaN的厚度,成功获得了不同等效Al组分超晶格的Si衬底上GaN外延材料样品(A1％范围10％～30％)....
[期刊论文] 作者：杨国锋,朱华新,郭颖,李果华,高淑梅,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2014
利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有3...
[期刊论文] 作者：王文强,张春灌,刘强,赵敢,白江江,张冰,,
来源：长江大学学报(自科版) 年份：2014
为了深入研究乌干达Albert湖地区磁性火成岩分布特征，对航磁总场异常进行了化极计算和异常分离，获得了航磁化极异常及局部磁力异常。通过深入分析局部磁力异常、航磁总场异常以...
[会议论文] 作者：冯晓辉,李兴斌,于彤军,吴洁君,杜彦浩,张国义,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
目前Ⅲ族氮化物器件均是采用异质外延技术制备的,该技术具有晶格失配、热失配等固有缺点,根本解决措施即采用GaN同质外延.本文用MOCVD技术在GaN及PSS衬底上生长相同的InGaN/GaN多量子阱结构,...并利用变温度及变功率光致发光谱技术对上述两样品的发光特性进行研究对比,结果证明GaN衬底样品具有更大的局域态和更小的极化场,因此具有更高的内量子效率....
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