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[学位论文] 作者：任尚清,,
来源： 年份：2009
随着我国城市化建设的深入发展,高楼建筑不断涌现,电梯已成为了不可缺少的垂直方向运载工具,具有广阔的市场前景。目前,国内电梯制造业大多靠引进国外新技术,国内自主开发电...
[学位论文] 作者：任尚清,
来源：中国科学院大学 年份：2015
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小，传统的CMOS器件对新材料、新工艺和新结构等诸多技术提出了新的要求，尤其是进入45nm技术节点后，高k/金属栅结构的引入在提升器件性能的同时，对器......
[期刊论文] 作者：任尚清,丁召,,
来源：凯里学院学报 年份：2009
随着人们生活水平的提高,对厕所这样的人类生理代谢环境的节水、照明及空气清新等要求越来越高.利用现代微处理控制技术、传感技术、电气控制等技术为现代智能厕所设计提供了...
[期刊论文] 作者：任尚清,王博博,蒋春生,钟乐,孙鹏,解磊,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2021
为获得N型金属氧化物半导体(NMOS)器件在γ射线辐照条件下的光电流特性,采用激光模拟技术,利用部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺NMOS器件进行激光照射试验,获得不同尺寸和拓...
Series resistance effect on time zero dielectrics breakdown characteristics of MOSCAP with ultra-thi
[期刊论文] 作者：徐昊, 杨红, 王艳蓉, 王文武, 万光星, 任尚清, 罗维春,,
来源：null 年份：2016
...
Influence of ultra-thin TiN thickness(1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability(PB
[期刊论文] 作者：祁路伟, 杨红, 任尚清, 徐烨峰, 罗维春, 徐昊, 王艳蓉,,
来源：null 年份：2015
...
Series resistance effect on time zero dielectrics breakdown characteristics of MOSCAP with ultra-thi
[期刊论文] 作者：徐昊,杨红,王艳蓉,王文武,万光星,任尚清,罗维春,祁路伟,赵超,陈大鹏,刘新宇,叶甜春,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
The time zero dielectric breakdown characteristics of MOSCAP with ultra-thin EOT high-k metal gate stacks are studied. The TZDB results show an abnormal area de...
Influence of ultra-thin TiN thickness(1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability(PB
[期刊论文] 作者：祁路伟,杨红,任尚清,徐烨峰,罗维春,徐昊,王艳蓉,唐波,王文武,闫江,朱慧珑,赵超,陈大鹏,叶甜春,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
The positive bias temperature instability(PBTI) degradations of high-k/metal gate(HK/MG) n MOSFETs with thin Ti N capping layers(1.4 nm and 2.4 nm) are systemic...
Characterization of positive bias temperature instability of NMOSFET with high-k/metal gate last pro
[期刊论文] 作者：任尚清,杨红,唐波,徐昊,罗维春,唐兆云,徐烨锋,许静,王大海,李俊峰,闫江,赵超,陈大鹏,叶甜春,王文武,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
Positive bias temperature instability(PBTI) characteristics and degradation mechanisms of NMOSFET with high-k/metal gate last process have been systematically i...
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