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[期刊论文] 作者：尹庚, 何志志, 李宗鉴,,
来源：电源学报 年份：2021
Si/SiC混并联结构以更低的成本,提供了接近全SiC器件的性能,因此Si/SiC混并联结构逐渐成为新的研究热点。目前,Si/SiC混并联结构研究大多集中于如何减小损耗。然而,在Si/SiC...
[期刊论文] 作者：李宗鉴,王俊,江希,何志志,彭子舜,余佳俊,
来源：电源学报 年份：2020
综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MO...
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