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[期刊论文] 作者：窦红飞,,
来源：才智 年份：2017
随着美学思想的不断发展,近年来新闻传播越来越注重审美,而典型人物报道有力的体现着这一趋势。本文从近年来典型人物报道引入,通过对其进行美学分析,看新闻传播的审美特征。...
[学位论文] 作者：窦红飞,,
来源：北京体育大学 年份：2019
在当代电影中,体育作为经典的意象元素,常常被大量使用。如《速度与激情》中的赛车运动、《激战》中的自由搏击运动、《破风》中的场内自行车运动。作为文化生活的重要组成部分,体育活动时刻与我们相伴,并从历史初期便成为人类共有的精神活动和精神产品,是推动......
[学位论文] 作者：窦红飞,
来源：北京体育大学 年份：2020
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[期刊论文] 作者：程红, 窦红飞,,
来源：南昌师范学院学报 年份：2018
农民工是中国城镇化进程中出现的特殊群体,具有鲜明的中国时代特色。农民工作为最具代表性的底层形象,常常出现在中国第六代导演的电影中。本研究从第六代导演作品中遴选有代...
[期刊论文] 作者：窦红飞,陆卫,
来源：红外与毫米波学报 年份：1999
用热辅助下的微分调制光谱方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体材料和液相外延材料的Ｅ１＋△临界点。并用三维临界点洛仑兹线性分析了实验光谱结构，通过拟合获得了相应能带参数。......
[报纸论文] 作者：曹红艳, 窦红飞,,
来源： 年份：
生态环境监测是生态环境保护的耳目与基石。基础不牢，地动山摇，没有科学准确的监测数据作支撑，生态环保工作就成了无源之水、无本之木。为了搞好环境监测工作，国务院办公厅近日正......
[期刊论文] 作者：刘明,窦红飞,
来源：物理 年份：1997
Ｓｉ／Ｇｅ超晶格外延生长技术的发展和纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）多孔硅（ＰＳ）发光现象的发现，引起了们们对硅基低材料的关注，文章简要综述了近年来在Ｓｉ／Ｇｅ超晶格的电子态和光学性质以及ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ，ＰＳ的结构和发光机理等方面的研究进......
[期刊论文] 作者：窦红飞,陆卫,
来源：红外与毫米波学报 年份：1999
给出一种新的通过空间热梯度辅助的热调制反射光谱方法，其关键是在空间光谱方法基础上加一热汤梯度、无需对材料进行通常空间调制方法的特殊处理，将该方法应用于典型半导体材料......
[期刊论文] 作者：叶雨婷, 窦红飞,,
来源：决策探索(上) 年份：2018
2017年12月23日,早晨8点30分。又一年的考研大幕开启,无数大学生走进考场,准备通过这两天的考试踏上人生的下一段旅程。据统计,2018年,高校毕业生将达到820万人,创历史最...
[期刊论文] 作者：樊未晨, 窦红飞,,
来源：决策探索(上) 年份：2018
最近几个周末,六年级的北京女孩孙涵很忙。前一个周末她刚刚参加了英语等级考试,这个周末又要参加一个著名奥数竞赛的网上初赛。当然,有考试就一定有培训,孙涵不仅每天放...
[报纸论文] 作者：窦红飞, 叶雨婷,,
来源： 年份：
人工智能的飞速发展，将给未来教育带来哪些变革？这是当下社会热烈讨论的话题。“未来人才培养和人工智能的崛起是密切相关的。未来是更加智能化的时代，一定要高度重视新科技，高度......
[期刊论文] 作者：窦红飞,陈效双,
来源：半导体学报 年份：1999
研究了单层Ｓｉ分别δ－掺杂于Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱，并与未掺杂样品相比较，发现掺杂样品的发光峰红移，其中单边势垒掺杂样品红移约４ｍｅＶ，双边势垒掺杂样品红移的......
[会议论文] 作者：窦红飞,陈效双,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：陈效双,窦红飞,等,
来源：量子电子学报 年份：1999
本文提出热激活辐射过程和Berthelot-型的非辐射复合过程互相竞争的简单模型解释无序半导体超晶格的光荧光随温度变化行为，预言了当温度升高荧光衰变时间在某一温度附近快速下...
[期刊论文] 作者：刘明,窦红飞,何宇亮,江兴流,
来源：物理 年份：1997
Ｓｉ／Ｇｅ超晶格外延生长技术的发展和纳米硅（ｎｃＳｉ∶Ｈ）、多孔硅（ＰＳ）发光现象的发现，引起了人们对硅基低维材料的关注．文章简要综述了近年来在Ｓｉ／Ｇｅ超晶格的电子态和光学性质以及ｎｃＳｉ∶Ｈ，ＰＳ的结构和发光机理等......
[期刊论文] 作者：戴国瑞,管玉国,窦红飞,南金,
来源：功能材料 年份：1997
报道了采用薄板层析技术分离聚环戊二烯薄膜中富勒烯Ｃ６０的方法，其薄膜是用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备的，以质谱分析的方法观察了不同色层带的有机化合物分子的大小，并得到了......
[期刊论文] 作者：窦红飞,陆飞,陈效双,李宁,沈学础,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道采用双光束致发光手段研究Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ本征样品及４种不同位置δ掺杂样品，观察到了由Ｈｅ－Ｎｅ激光导致的激光强度随附加的第二束激光发光（白光）强度变化百演变的现象，实验结果显示，未掺杂样品的......
[会议论文] 作者：刘兴权,陈益栋,陈效双,窦红飞,李宁,
来源：第九届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：李娜,李宁,陆卫,刘兴权,窦红飞,沈学础,
来源：量子电子学报 年份：2000
本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量（５ｘ１０４～５ｘ１０１５ｃｍ２）的增加从７６６ｕｍ持续......
[期刊论文] 作者：窦红飞,陈效双,陆卫,李志锋,沈学础,
来源：半导体学报 年份：1999
研究了单层Ｓｉ分别δ－掺杂于Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱，并与未掺杂样品相比较，发现掺杂样品的发光峰红移，其中单边势垒掺杂样品红移约４ｍｅＶ，双边势垒掺杂样品红移的......
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