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[期刊论文] 作者：颜学进,
来源：低碳世界 年份：2014
交通运输行业在我国的经济发展过程中发挥着重要作用，因而国家也越来越重视公路桥梁的建设，就目前的发展状况来看，大跨径连续桥梁的施工技术才是桥梁设计的关键所在。在进行大跨......
[期刊论文] 作者：颜学进,,
来源：世界华商经济年鉴·城乡建设 年份：2012
在路桥工程建设中,填方的投资多、工程量较大,并直接应整个工程的质量.随着我国路桥建筑事业的快速发展,进行高填方路基施工越来越普及.如果采取的施工方法不当,不仅会影响工...
[期刊论文] 作者：许国阳,颜学进,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ源／Ｉｎ源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响。得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长掺Ｆｅ半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件。在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０＾８Ω·ｃｍ，击穿电场４×１０＾４Ｖ／ｃｍ。用半......
[会议论文] 作者：许国阳,颜学进,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：颜学进,肖上青,
来源：第八届全国磁学磁性材料会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：颜学进,肖上青,
来源：第八届全国磁学磁性材料会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：张权生,石志文,杜云,赵军,颜学进,
来源：高技术通讯 年份：1996
研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工作，吸收区电极的设置使两种器件的Ｐ／Ｉ特性均获得......
[期刊论文] 作者：张权生,石志文,杜云,颜学进,赵军,
来源：半导体学报 年份：1996
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．A current controlled two-terminal and three-terminal MQW (multip......
[期刊论文] 作者：许国阳,王圩,颜学进,朱洪亮,周帆,张静媛,汪孝杰,
来源：半导体学报 年份：1999
In this article,first we classified the controllability of energy gap in selective area growth (SAG) technology.The red|shift of wavelength from 1.51 to 1.58μm...
[期刊论文] 作者：许国阳,颜学进,朱洪亮,段俐宏,周帆,田慧良,白云霞,王圩,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ ，击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ......
[期刊论文] 作者：颜学进,张权生,石志文,杜云,祝亚芹,罗丽萍,朱家廉,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1997
本文报道了用反应离子刻蚀与晶向湿法化学腐蚀相结合沿ＩｎＰ衬底方向获得工作波长１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光器的腔面的方法。...
[期刊论文] 作者：颜学进,张权生,石志文,杜云,祝亚芹,罗丽萍,朱家廉,吴荣汉,王启明,
来源：半导体学报 年份：1997
本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面的方法．用CH4：H2：Ar2的混合物作干法刻蚀的反应......
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