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[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：半导体杂志 年份：1995
三端电压控制型负阻器件（７）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第八章电压控制负阻ＭＯＳ器件［２’ｊ电压控制负阻ＭＯＳ器件（Ｖｏｌｔａｇｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｇａｔｉ、ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＭＯＳＤｅｖｉｃｅ...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：半导体杂志 年份：1994
三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐｅｄａｎｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：半导体杂志 年份：1995
三端电压控制型负阻器件（６）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第六章新型“∧”负阻晶体管［２１］新型“∧”负阻晶体管（ＮｅｗＬａｍｂｄａＮｅｇａｔｉｖｅ－ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：半导体杂志 年份：1994
三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐｅｄａｎｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：半导体杂志 年份：1994
三端电压控制型负阻器件（４）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第四章“∧”双极晶体管［１３，１４］“∧”双极晶体管（ＬａｍｂｄａＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＬＢＴ。...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：半导体杂志 年份：1994
三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：半导体杂志 年份：1994
三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：半导体杂志 年份：1994
三端电压控制型负阻器件（１）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）负阻器件从１９５２年埃伯斯（Ｊ．Ｊ．Ｅｂｅｒｓ）［１］提出和１９５６年摩尔（Ｊ．Ｌ．ＭＯＭｉ）等［２］研制出晶闸管和１９５８年江崎［３...
[期刊论文] 作者：郭维廉,王淑芝,
来源：锦州师范学院学报(哲学社会科学版) 年份：1995
教师的楷模──陶行知的十大精神郭维廉，王淑芝陶行知是伟大的人民教育家，是中国近现代教育家的杰出代表．陶行知先生在教育实践中非常重视“师德”的修养．他自己就是继承和躬亲我...
[期刊论文] 作者：郭维廉,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差...
[期刊论文] 作者：郭维廉,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
单向运动载流子光二极管(UTC-PD)具有高速和大电流的特点,与RTD相结合可构成一高速光控MOBILE,能够应用于80Gb/s的光纤通信、光信息处理和高速光网络中。在详细介绍UTC-PD的...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：微纳电子技术 年份：2006
在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上，确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法，并对以SI—GaAs为衬底的RTD分子束外延（MBE）材料生长结构进行了设计。所研制......
[期刊论文] 作者：郭维廉,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
以光接收器件代替RTD MOBILE（RTD单-双稳转换逻辑单元）电路中的HEMT或HBT，可构成光控MOBILE电路。在比较了四种光控MOBILE结构的基础上，选择RTD／HPT光控结构，重点分析讨论了RTD／HPT...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：微纳电子技术 年份：2006
表征RTD器件特性和性能的参数分为直流负阻、等效电路及频率响应和开关时间三类。系统全面地介绍这三类参数及其测量方法，为测量和评价RTD的器件性能打下良好的基础。...
[期刊论文] 作者：郭维廉,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景，并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。...
[期刊论文] 作者：郭维廉,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
介绍了共振隧穿二极管物理模型的量子力学基础，重点讲解共振隧穿两种物理模型，从不同维度隧穿的特点分析共振隧穿和非共振隧穿的区别，为以后讨论分析共振隧穿器件的特性奠定基础......
[期刊论文] 作者：郭维廉,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
介绍了共振隧穿二极管（RTD）中电荷积累效应，利用顺序隧穿模型分析了RTD中有电荷积累时器件各部分电压的再分布；并结合电压降局限于双势垒区和遍及整个RTD的两种情况，建立了电荷和......
[期刊论文] 作者：郭维廉,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
RTD交流小信号等效电路模型是分析RTD交流特性的基础，也是用网络分析仪测量S参数，拟合提取交流参数和计算截止频率fR的依据。精确、合理的等效电路模型有助于深入理解RTD的工作...
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：微纳电子技术 年份：2005
通过对共振隧穿器件的特点、分类、工作原理、电流成分、器件参数等的介绍,为初学人员或非专业爱好人员提供一个对共振隧穿器件全面的、概括性的认识....
[期刊论文] 作者：郭维廉,
来源：微纳电子技术 年份：2005
在"共振隧穿器件概述"的基础上,对共振隧穿器件应用电路作了全面概括的介绍.首先对共振隧穿器件应用电路的特点、分类和发展趋势作了简述;进一步对由RTD/HEMT构成的单-双稳转...
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