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[期刊论文] 作者：邢友翠,,
来源：天津科技 年份：2013
通过改善抛光布与硅片问的压强分布的均匀性，可以获得硅片表面最佳平坦化效果。抛光背垫直接接触硅片背面，对硅片与抛光布间的压强分布存在影响。通过3种抛光背垫的抛光实验对......
[期刊论文] 作者：邢友翠,刘玉岭,
来源：电子工业专用设备 年份：2019
在硅片研磨加工过程中,为保证硅片加工厚度的一致性,引入了在线监控仪,但在线监控仪在加工厚度大于1600μm以上的硅片时,在线监控仪就很难准确地测出晶片的厚度。通过使用目...
[期刊论文] 作者：邢友翠,闫萍,刘玉岭,李万策,
来源：电子工业专用设备 年份：2018
因生长时工艺条件的不同，区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化。 对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分析， 并给出了不同工艺条件下单晶中漩涡缺陷的......
[期刊论文] 作者：佟丽英, 王俭峰, 史继祥, 张继荣, 邢友翠, 戚红英, 李亚,
来源：半导体技术 年份：2010
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[期刊论文] 作者：佟丽英,王俭峰,史继祥,张继荣,邢友翠,戚红英,李亚帅,
来源：半导体技术 年份：2010
高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率...
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