搜索筛选:
搜索耗时0.2954秒,为你在为你在102,265,124篇论文里面共找到 82 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：茹国平,
来源：大学物理 年份：2003
讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性,回答了在半导体物理学pn结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题.从热力学第一定律、金属-半导体接触等不同角...
[期刊论文] 作者：茹国平,
来源：大学物理 年份：2018
以氧化层电荷非均匀分布的MOS结构为例,介绍求解一维任意电荷浓度分布电势的3种方法0x0E?Symbol~B@0x0F0x0E?Symbol~B@0x0F电势叠加法、积分区间变换法和掺杂矩法,并讨论它们...
[期刊论文] 作者：茹国平,
来源：中国科技投资 年份：2018
面对经济全球化所带来的机遇和挑战,我国提出的一带一路倡议为复苏乏力的世界经济开辟了一条共享共赢的希望之路,许多国际工程EPC总承包项目在近几年的实践中取得了不小的创...
[期刊论文] 作者：茹国平,
来源：中国科技投资 年份：2016
近些年,我国逐渐开始重视风能这种清洁可再生能源的利用,加大了风力发电项目的建设力度,为社会的可持续发展增添了力量.但当前由于风力发电项目施工的一些特点,造成项目施工...
[期刊论文] 作者：茹国平,
来源：科学与财富 年份：2017
摘 要：在近几年的发展过程中，我国电力行业已经远远无法满足当前时代的发展，发生了电荒的情况，会对今后的发展带来不利影响。而相关研究院明确指出解决电荒现象的手段关键在于将电力的发展模式进行转变，而在这个内容中主要包含采取可循环利用的能源进行发电。基于此，......
[期刊论文] 作者：茹国平,
来源：科技创业家 年份：2004
工业建筑在国民经济发展和社会文明进步中具有重要的地位并发挥着重要的作用.每年完成的建筑工程投资额中,工业建筑占了一半以上.工业建筑的发展本质上要靠先进的科学技术:在...
[期刊论文] 作者：茹国平,
来源：上海会计 年份：1995
对增值税推行的几点看法舟山商校茹国平实行以增值税为主体的流转税制度，是税制改革的一项重大措施。但由于时间较匆促和宣传得不够，致使增值税在实际的操作中存在着一些问题。......
[期刊论文] 作者：董沿,茹国平,
来源：浙江金融 年份：1993
农村股份合作企业是一种兼有股份制和合作制因素的新的企业形态。近年来,这种类型的企业在我国农村发展很快,目前已局部成为乡镇企业的主要组织形式和农村经济的重要支柱之一...
[会议论文] 作者：茹国平,顾强,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：茹国平,房华,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
...
[期刊论文] 作者：茹国平,黄宜平,
来源：物理 年份：2004
施敏教授所著的英文第2版由美国John Wiley & Sons出版公司出版,其简体中文版由苏州大学电子信息学院组织翻译,于2002年12月由苏州大学出版社出版.该...
[期刊论文] 作者：茹国平,屈新萍,
来源：半导体学报 年份：2000
采用弹道电子发射显微术（ＢＥＥＭ）技术对超薄ＰｔＳｉ／Ｓｉ、ＣｏＳｉ２／Ｓｉ肖特基接触特性进行了研究，并与电流－电压（Ｉ－Ｖ）及电容－电压（Ｃ－Ｖ）测试结果进行了对比。......
[期刊论文] 作者：屈新萍,茹国平,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了超薄（－１０ｎｍ）ＣｏＳｉ２／Ｓｉ的肖特基势垒接触特性。Ｃｏ（３－４ｎｍ）／Ｔｉ（１ｎｍ）双层金属通过快速热退火在Ｓｉ（１００）衬底上形成超薄ＣｏＳｉ２薄膜。Ｘ射线测试表明该薄膜具有较好的外延特性。用Ｉ－Ｖ、Ｃ－Ｖ方法在８２－３３２度范围测试了ＣｏＳｉ２／Ｓｉ的肖特基势垒特性。用弹道......
[期刊论文] 作者：屈新萍,茹国平,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程.结果表明,加入Pd层后,退火形成Ni1-xPdxSi固熔体,该固熔体比NiSi的热稳定性好,使得NiSi向NiSi2的转变温度升高.加入Pd的量越...
[会议论文] 作者：莫鸿翔,茹国平,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文对用离子束溅射形成的Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ结构的固相反应进行了研究。四探针仪，ＲＢＳ和ＡＥＳ等测试表明，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ在氮气中经高温退火后可形成（Ｎｉ－Ｃｏ）Ｓｉ〈，２〉相，其电阻率可达１６．４μΩ．ｃｍ，并发现其有一定的外延趋势。......
[会议论文] 作者：屈新萍,茹国平,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文报道通过Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ（１００）多层薄膜固相反应在（１００）Ｓｉ上异质外延生长ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜。研究了该多层结构经不同温度退火的固相反应特性。在有ＣＭＯＳ电路的Ｓｉ片上淀积该结构，通过两步退火加选择腐蚀工艺，可形成自对......
[期刊论文] 作者：竺士炀,茹国平,等,
来源：半导体学报 年份：2001
通过硅（111）衬底淀积的单层Co或Co/Ti双金属层不同退火温度的固相反应，在硅上形成制备了多晶和外延CoSi2薄膜，用电流－电压和电容－电压（I－V／C－V）技术在90K到室温的温度范围内测量了CoSi2/......
[期刊论文] 作者：茹国平,曹永峰,等,
来源：微细加工技术 年份：2002
热敏薄膜电阻制备是非致冷微测辐射热计红外焦平面的一项关键技术。对目前在非致冷微测辐射热计研制中得到成功应用的氧化钒薄膜的特性、制备及表征技术进行综述。氧化钒存在...
[期刊论文] 作者：韩忠方,茹国平,阮刚,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
Subthreshold characteristics of vertical tunneling field effect transistors(VTFETs) with an nC-pocket in the pC-source are studied by simulating the transfer ch...
[期刊论文] 作者：李营营,茹国平,李湛明,
来源：红外与毫米波学报 年份：2012
基于一种非局域化的输运模型,对不同结构不同温度下的中红外量子级联激光器的输运特性进行了仿真。在这个模型中,利用量子隧穿、微带隧穿以及热载流子输运等长程载流子输运模...
相关搜索：
