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[期刊论文] 作者：汪连山,洪汉烈,李宗全,
来源：RARE METALS 年份：1996
ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｎＰｌａｔｉｎｕｍ（１１１）ＦａｃｅｔｓＷａｎｇＬｉａｎｓｈａｎＨｏｎｇＨａｎｌｉｅ（汪连山）（洪汉烈）（ＷｕｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ...
[期刊论文] 作者：刘祥林,汪连山,
来源：半导体学报 年份：1999
研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓缓冲层的生长速率随生长温度的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量，以及源进......
[期刊论文] 作者：刘祥林,汪连山,
来源：半导体学报 年份：1999
用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法的蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓（ＧａＮ）缓冲层，以及在缓冲层上继续生长了ＧａＮ外延层，研究了这些缓冲层的结晶学，表面形貌和光学性质以及这些......
[期刊论文] 作者：刘祥林,汪连山,
来源：半导体学报 年份：1999
研究了用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法。发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下，氮化镓的电子浓度趋于饱和现象，研究了掺硅氮化镓的电学，光学，结......
[期刊论文] 作者：汪连山,李宗全,
来源：理化检验：物理分册 年份：1994
介绍了反射电子显微术的成像原理和实现这种技术的方法,报道了用JEM-200CX电镜对Pt(111)小面微结构观察的结果。利用反射电子束成像可以揭示平坦小面的微观结构,如单原子高度...
[会议论文] 作者：李宗全,汪连山,
来源：第六届全国固体缺陷会议 年份：1994
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[期刊论文] 作者：汪连山,李宗全,
来源：Chinese Science Bulletin 年份：1994
Reflection electron microscopy (REM) is an experimental technique for direct observation of crystal surfaces using reflected electrons.It has been greatly impr...
[期刊论文] 作者：汪连山,李宗全,
来源：理化检验(物理分册) 年份：1994
介绍了反射电子显微术的成像原理和实现这种技术的方法,报道了用JEM-200CX电镜对Pt(111)小面微结构观察的结果。利用反射电子束成像可以揭示平坦小面的微观结构,如单原子高度...
[期刊论文] 作者：汪连山,李宗全,
来源：科学通报 年份：1994
反射电子显微术是利用固体表面的反射电子直接观察表面的实验技术,在最近十几年来得到了较大的发展.将此技术应用到晶体表面微观结构的直接观察上,能以较高的分辨率揭示...
[会议论文] 作者：项若飞,吴迪,曾宇,汪连山,王占国,
来源：全国第十四届红外加热暨红外医学发展研讨会 年份：2013
红外辐射加热技术以其高效、环保、节能的优势,正为人们越来越广泛地应用于各个领域,与生活日益贴近.发光二极管(LED)在照明领域的推广,使LED的光生物安全性受到格外重视。本文分析了发光二极管的光生物安全性。进而阐述了红外辐射加热产品的光生物效应。研究得......
[期刊论文] 作者：刘祥林,汪连山,陆大成,王晓晖,汪度,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1999
用金属有机物气相外延（ Ｍ Ｏ Ｖ Ｐ Ｅ）方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓（ Ｇａ Ｎ）缓冲层，以及在缓冲层上继续生长了 Ｇａ Ｎ 外延层．研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光......
[期刊论文] 作者：刘祥林,汪连山,陆大成,汪度,王晓晖,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1999
研究了用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法．发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下，氮化镓的电子浓度趋于饱和现象．研究了掺硅氮化镓的电学、光学、......
[期刊论文] 作者：刘祥林,汪连山,陆大成,王晓晖,汪度,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1999
研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓（ＧａＮ）缓冲层的生长速率随生长温度（５００～６００℃）的变化关系．用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源......
[期刊论文] 作者：汪连山,刘祥林,昝育德,汪度,王俊,陆大成,王占国,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：1998
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Al2 O3 /Si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )X射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,...
[期刊论文] 作者：汪连山,刘祥林,昝育德,汪度,王俊,陆大成,王占国,
来源：Science in China(Series E:Technological Sciences) 年份：1998
Single crystal GaN films of hexagonal modification have been fabricated on Al_2O_3/Si (001) substrates via a low pressure metalorganic chemical deposition (LP-M...
[期刊论文] 作者：汪连山,刘祥林,昝育德,汪度,王俊,陆大成,王占国,
来源：中国科学：技术科学英文版 年份：1998
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[期刊论文] 作者：汪连山,刘祥林,岳国珍,王晓晖,汪度,陆大成,王占国,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ－ＰＰＣ）。在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为。实验结果表明，未人为掺杂和掺Ｓｉｍ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可......
[会议论文] 作者：项若飞[1]吴迪[2]曾宇[2]汪连山[3]王占国[3],
来源：全国第十四届红外加热暨红外医学发展研讨会 年份：2013
红外辐射加热技术以其高效、环保、节能的优势,正为人们越来越广泛地应用于各个领域,与生活日益贴近.发光二极管(LED)在照明领域的推广,使LED的光生物安全性受到格外重视。本...
[期刊论文] 作者：顾豪爽,王世敏,吴新民,邝安祥,马世安,汪连山,赵建洪,李兴,
来源：物理化学学报 年份：1996
...
[期刊论文] 作者：刘祥林,王晓晖,汪度,汪连山,王成新,韩培德,陆大成,林兰英,
来源：高技术通讯 年份：1998
用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓（ＧａＮ）外延材料。未掺杂ＧａＮ显ｎ型，室温下（３００Ｋ）背景电子浓度为１．６×１０１７ｃｍ－３，电子迁移率为３６０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。在１９５Ｋ附近电子迁移率达到峰值，为４９０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。发现了该材料中存在深施主能级，其离化能约为......
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