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[学位论文] 作者：杜江锋,,
来源：苏州大学 年份：2017
近年来,对近红外激光和X射线具有较强吸收的无机纳米材料,作为一种具有潜在诊断和治疗功能的材料,在肿瘤学领域引起了各国研究者的广泛关注。无论在体外还是体内,无机纳米材...
[学位论文] 作者：杜江锋,,
来源：电子科技大学 年份：2010
具有高温、高频和大输出功率能力的宽禁带AlGaN/GaN HEMT器件已成为国内外研究的热点课题。由于异质外延生长的AlGaN/GaN HEMT材料存在晶格和热失配问题,特别是GaN基异质结器...
[学位论文] 作者：杜江锋,,
来源：郑州大学 年份：2011
XX市是集团在河南省尚未进入的两个地级市之一,XX项目的开发,对集团省域化战略的深化实施具有重要意义。XX市东环路宗地位于XX市东行政新区东环路西侧、庆丰街南侧,土地用途...
[学位论文] 作者：杜江锋,
来源：南华大学 年份：2011
碳纳米管具有独特的机械学、电学和光学性质,使得它们成为一种具有广泛潜在应用的独特材料,碳纳米管在生物医学领域的潜在应用包括生物传感器、药物和疫苗载体。在碳纳米管各...
[学位论文] 作者：杜江锋,
来源：电子科技大学 年份：2010
具有高温、高频和大输出功率能力的宽禁带AlGaN/GaN HEMT器件已成为国内外研究的热点课题。由于异质外延生长的AlGaN/GaN HEMT材料存在晶格和热失配问题，特别是GaN基异质结器...
[期刊论文] 作者：杜江锋,,
来源：低碳地产 年份：2016
随着建筑行业的不断发展，混凝土技术不断完善，应用范围也越来越广，目前在土建工程中也已推广开来，但仍存在一些理由，比如混凝土裂缝的防治等，无论是在钢筋混凝土工程建设还是在土木......
[学位论文] 作者：杜江锋,
来源：郑州大学 年份：2011
XX市是集团在河南省尚未进入的两个地级市之一，XX项目的开发，对集团省域化战略的深化实施具有重要意义。 XX市东环路宗地位于XX市东行政新区东环路西侧、庆丰街南侧，土地用......
[期刊论文] 作者：杜江锋,葛翠翠,,
来源：科学通报 年份：2015
由于碳纳米管本身具有诸多优异的物理化学性质,已经在生物学和医学领域展现出潜在的应用前景.从纳米科技的长期发展而言,碳纳米管的安全应用及其潜在的毒理学评价显得非常重...
[会议论文] 作者：陈力,杜江锋,罗谦,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会 年份：2007
本文针对GaN HEMT器件显著的自热效应,通过改进原有的CURTICE大信号模型,建立了包括器件自热效应的大信号模型。模型参数通过实测的S参数曲线和静态直流I-V曲线提取.比较仿真...
[期刊论文] 作者：赵智源,杜江锋,刘勇,于奇,
来源：电子元件与材料 年份：2021
PN结边缘处存在的电场拥挤现象一直是限制器件耐压提升的关键原因。以缓解PN结边缘处的电场拥挤现象为目的,一种具有复合介质层的垂直GaN基梯形二极管被提出。该结构通过高/...
[期刊论文] 作者：赵子奇,杜江锋,杨谟华,,
来源：微电子学 年份：2013
针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构.该背电极通过感...
[期刊论文] 作者：赵子奇,杜江锋,杨谟华,
来源：微电子学 年份：2014
针对传统垂直GaN基异质结场效应晶体管中,由于GaN电流阻挡层内p型杂质激活率低而导致的漏电问题,提出了一种使用AlGaN极化掺杂电流阻挡层的垂直GaN基异质结场效应晶体管结构....
[会议论文] 作者：白智元,杜江锋,刘勇,于奇,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
SiNx作为一种常见的绝缘材料,常作为AlGaN/GaN MIS-HEMTs的栅介质以及钝化层.LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)生长的SiNx的表面钝化效果好,并且钝化后器件夹断态漏电小,但是由于该工艺过程为高温工艺,无法带金属生长,不能作为后续的钝化工艺.ICP......
[期刊论文] 作者：杜江锋,薛红波,韩卫,刘飞,
来源：创新科技 年份：2014
荧光增白剂对纸张有着明显的增白作用，本文综述了用于造纸行业的液体荧光增白剂的主要品种及作用机理。对其中一些具有代表性品种的制备方法进行了说明，并讨论了荧光增白剂在造......
[期刊论文] 作者：薛红波,杜江锋,刘爱玲,季东峰,
来源：创新科技 年份：2014
洗涤剂和肥皂中添加荧光增白剂后，洗涤织物时，对织物有着明显的增白效果。本文综述了用于荧光增白剂在洗涤织物时的增白效果。对其中一些具有代表性品种及制备方法进行了说明，讨......
[会议论文] 作者：潘沛霖,杜江锋,严慧,于奇,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
为抑制深亚微米栅器件的短沟道效应(SCEs),本文提出了一种采用复合金属栅结构的AlGaN/GaN HEMT,复合金属栅结构(CMG)由一系列不同功函数的栅极金属构成.仿真结果表明:与常规...
[会议论文] 作者：赵子奇,尹成功,罗杰,杜江锋,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 年份：2012
针对常规AlGaN/GaN RESURF HEMT中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出了一种带有背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构.该背电极通过感应诱生负电荷,调制器件沟道处的电力线分布,使栅漏之间的沟道横向电场分布更加均匀,从而提升器件击穿电......
[期刊论文] 作者：杜江锋,赵金霞,于奇,杨谟华,
来源：材料导报 年份：2009
采用X射线光谱仪（XPS）和椭偏测试仪（sE）对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分、厚度、光学常数等物理特性进行了研究。当氧化温度为900℃、氧化时间为15～240min时，XPS测试结果表......
[期刊论文] 作者：龙飞,杜江锋,罗谦,靳翀,杨谟华,,
来源：电子器件 年份：2007
源于AlGaN／GaNHEMT器件的大量测试分析发现，栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47％；随着信号频率的改变，漏极电流按脚μnCur[α＋（0. 13＋0. 64f）VGS ＋ （0. 13＋0. 32 f）VGS^2]（VGS-Vth）^2......
[期刊论文] 作者：卢盛辉,杜江锋,周伟,夏建新,
来源：真空科学与技术学报 年份：2004
通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型.该模型可以根据二维电子气密...
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