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[期刊论文] 作者：昝育德,
来源：半导体学报 年份：1998
本文应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理，通过分析透射电镜晶格象，制作了９０°、３０°分位错及Ｃｏｔｔｅｒｌｌ位错等一系列的模型，说明硅中位错核心无悬挂键。......
[期刊论文] 作者：昝育德,李瑞云,
来源：半导体学报 年份：1999
本文介绍了一种用半导体致冷器制作的恒温槽，该装置采用了高精度温控仪，磁耦合搅拌器以及适当的保温材料，可以很方便地将容器内液体介质及被控部件控制在－３０°～５０℃之间，其精度小于......
[期刊论文] 作者：昝育德,王俊,
来源：半导体学报 年份：1998
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜，从ＲＨＥＥＤ看到硅上生长的薄膜是立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化。......
[会议论文] 作者：昝育德;姜晓明;,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-A1O／Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在研究人员的实验室生长出γ-AlO／Si单晶薄膜它们的结晶关系是（100）γ-......
[会议论文] 作者：昝育德,林兰英,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：褚一鸣, 昝育德, 杨大宇, 刘维,,
来源：电子显微学报 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：昝育德,李瑞云,王俊,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1999
本文介绍一种用半导体致冷器件制作的恒温槽．该装置采用了高精度温控仪，磁耦合搅拌器以及适当的保温材料．可以很方便地将容器内液体介质及被控部件控制在－ ３０°～５０℃之间，其精度小于 ０......
[会议论文] 作者：王启元,王俊,韩秀峰,邓惠芳,王建华,昝育德,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
该文报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重......
[会议论文] 作者：昝育德,王建华,邓惠芳,李瑞云,王俊,林兰英,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
应用低压CVD和高真空外延技术在Si上生长出γ-AlO/Si薄膜,高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-AlO/Si外延生长,单晶衍射法证明它们的结晶关系是(100)γ-AlO//(100)...
[期刊论文] 作者：汪连山,刘祥林,昝育德,汪度,王俊,陆大成,王占国,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：1998
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Al2 O3 /Si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )X射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,...
[期刊论文] 作者：汪连山,刘祥林,昝育德,汪度,王俊,陆大成,王占国,
来源：Science in China(Series E:Technological Sciences) 年份：1998
Single crystal GaN films of hexagonal modification have been fabricated on Al_2O_3/Si (001) substrates via a low pressure metalorganic chemical deposition (LP-M...
[期刊论文] 作者：汪连山,刘祥林,昝育德,汪度,王俊,陆大成,王占国,
来源：中国科学：技术科学英文版 年份：1998
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[期刊论文] 作者：昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,,
来源：半导体学报 年份：2004
报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOSCMOS的成熟工艺制作双异质外延Si／γ-Al2O3／Si单晶薄膜以及用其研制Si／γ-Al2O3／SiCMOS场效应晶体管、Si／γ-Al2O3／SiCMOS集...
[期刊论文] 作者：佘觉觉,曹大年,王维明,昝育德,邓惠芳,王建华,郁元桓,
来源：半导体学报 年份：1984
本文分析了用俄歇电子能谱仪结合氩离子溅射测量绝缘衬底与半导体外延层之间的界面时遇到的样品带电效应并提出了与此有关的在实验中获得正确信息的方法,在此基础上得到了良...
[期刊论文] 作者：昝育德,王俊,韩秀峰,王玉田,王维民,王占国,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1998
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化．Ｘ射......
[期刊论文] 作者：王启元,王俊,韩秀峰,邓惠芳,王建华,昝育德,蔡田海,郁元桓,
来源：半导体学报 年份：1997
本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在１１３６ｃｍ＾－１附近得到了明......
[期刊论文] 作者：昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,王占国,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2004
报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、...
[期刊论文] 作者：王启元,王俊,韩秀峰,邓惠芳,王建华,昝育德,蔡田海,郁元桓,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉......
[期刊论文] 作者：王启元,王俊,韩秀峰,邓惠芳,王建华,昝育德,蔡田海,郁元桓,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1997
本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm－1附近......
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