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[期刊论文] 作者：,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2002
2002年第1期可靠性物理、失效分析与产品改进栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取…………………………·恩云飞,孔学东,徐征,等(1)电子封装失效分析新技术——双波透...
[期刊论文] 作者：恩云飞,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1996
光辐射检测技术是一种新的失效分析技术，它能确定器件失效部位，区分失效机理，还可以进行光谱分析。这项技术可用来研究器件的ＰＮ结退化，寄生晶体管效应，热电子退化、、Ｉ／Ｏ保护电路中的ＥＳＤ技......
[会议论文] 作者：恩云飞,
来源：中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 年份：2002
本文论述了国内外微电子可靠性技术发展状态,着重论述了可靠性设计、制造过程的质量与可靠性、失效分析技术发展与应用,指出可靠性设计与可靠性评价将成为未来国内集成电路可...
[会议论文] 作者：恩云飞,
来源：2003第十届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2003
本文以Altera公司塑封器可靠性、试验技术为背景,介绍了塑封器件可靠性评价及试验技术方法,以及目前国际上通用的相关标准....
[会议论文] 作者：恩云飞,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
本文介绍了国内集成电路（IC）市场，微电子技术发展状况，微电子可靠性技术研究领域及发展方向，着重强调微电子可靠性技术与微电子技术要保持同步发展。...
[会议论文] 作者：恩云飞,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
本文论述了已知良好芯片(KGD)工艺技术,着重介绍了KGD夹具技术和工艺流程,为国内KGD技术的发展提供了技术指导....
[期刊论文] 作者：黄云,恩云飞,,
来源：电子元件与材料 年份：2007
在元器件中进行失效模式影响分析(FMEA)技术研究和应用的基础上,论述了适合元器件的失效模式、机理影响分析(FMMEA)技术,在国内首次将FMMEA技术应用到元器件的基础上,研制了F...
[期刊论文] 作者：恩云飞, 黄云,,
来源：电子质量 年份：2003
军用和民用电子系统中模块化和小型化发展的迫切需求使裸芯片在国内有着广泛的用途和市场,尤其是在军用HIC和MCM应用领域,裸芯片质量和可靠性保证一直是人们关注的热点。本文...
[期刊论文] 作者：齐领,恩云飞,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2008
介绍了目前半导体新工艺的发展情况。在特征尺寸不断缩小的情况下,产生新的材料和技术是必要的,但也带来了相关的可靠性问题。简介了应变硅材料、栅介质的工艺及铜互连的可靠...
[期刊论文] 作者：恩云飞,罗宏伟,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2005
讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能(10keV)X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阚值电压的影响,结果表明X射线辐照对nMOSFE...
[期刊论文] 作者：黄勇,恩云飞,,
来源：电子质量 年份：2006
在简要的对铜互连和铝互连进行了比较后，本文从材料特性和集成工艺两方面讨论了铜互连和铝互连对可靠性的不同影响，并详细的分析了一个关键的可靠性失效机理：电迁移（包括通孔损耗......
[会议论文] 作者：黄云,恩云飞,
来源：中国电子学会第十届青年学术年会 年份：2004
本文通过不同GaAs MMIC的MIM氮化硅电容结构,研究分析了斜波电压下的TDDB特性,确定了氮化硅电容失效主要是由SiN介质的缺陷引起,通过不同斜波电压确定加速因子预计了10V电压...
[会议论文] 作者：恩云飞,孙青,
来源：中国电子学会可靠性分会第九届学术年会 年份：1998
该文介绍了激光束偏转法和双折射法两种半导体材料应力测试系统及测试方法，其中激光束偏转法直观、简便，不受样品材料的限制，且可以判定应力的张、压性质，双折射法应力测试分辨率......
[会议论文] 作者：恩云飞,罗宏伟,
来源：第七届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1997
该文用斜坡电压法研究了栅氧化层的击穿特性，通过对Ｉ－Ｖ特性曲线与ＦＮ理论曲线的对比以及对击穿电荷的研究，认为在用斜坡电压法研究栅氧化层可靠性时，Ｉ－Ｖ曲线偏离理论曲线的多少、击穿电荷......
[会议论文] 作者：黄云,恩云飞,
来源：中国电子学会第十届青年学术年会 年份：2004
本文通过不同GaAs MMIC的MIM氮化硅电容结构,研究分析了斜波电压下的TDDB特性,确定了氮化硅电容失效主要是由SiN介质的缺陷引起,通过不同斜波电压确定加速因子预计了10V电压的电容寿命,基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等效厚度模型评估GaAs MMIC的SiN介......
[期刊论文] 作者：黄云,恩云飞,杨少华,,
来源：微电子学 年份：2007
论述了常规裸芯片质量与可靠性保证的标准和技术，针对功率器件裸芯片，提出了高性能和高可靠性设计、制造工艺保障、验证筛选等质量与可靠性保证方法和技术途径；讨论了采用临时封......
[期刊论文] 作者：恩云飞,杨银堂,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1995
叙述了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体技术的基本工作原理，主要特点以及发展概况，着重从ＥＣＲ等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ＥＣＲ技术进行了讨论。由于ＥＣＲ微波等离子体......
[期刊论文] 作者：孔学东,恩云飞,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2001
论述了大规模/超大规模集成电路可靠性技术的应用与发展,重点强调在大规模/超大规模集成电路中可靠性技术的地位和作用,对"十五”超大规模集成电路可靠性的发展提出了思路....
[会议论文] 作者：章晓文, 恩云飞,,
来源： 年份：2005
本文对SOI(SOI:Silicon On Insulator,绝缘体上硅)器件的优良特性进行了描述,对SOI 与体硅CMOS电路的漏电流作了对比。介绍了SOI材料的制作方法,主要的两个技术途径是氧离子...
[期刊论文] 作者：章晓文,恩云飞,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2004
对脉冲应力作用下金属铝膜的电迁移失效机理进行了研究,研究了纯交流应力对金属铝膜电迁移可靠性的影响,对影响测试结构的相关因素作了详细的描述.借助于脉冲波形的傅里叶级...
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