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[期刊论文] 作者：彭同华,
来源：图书情报工作 年份：1983
【正】 我馆全部油印业务是统一归口由油印组承担的。随着全馆业务范围的不断扩大,工作项目日愈增多,油印数量逐年增加。根据1978至1982共五年的统计,平均年印量为:书刊编目...
[学位论文] 作者：彭同华,
来源：中国科学院物理研究所 年份：2009
作为极具发展前景的宽禁带半导体材料，碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子迁移率以及化学稳定性，在高温、高频、高功率和光电器件方面具有巨大的应用潜力。要实......
[期刊论文] 作者：,
来源：高科技与产业化 年份：2021
:碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团队推荐单位中国科学院物理研究所完成单位中国科学院物理研究所合作单位北京天科合达半导体股份有限公司主要完成人陈小龙、王文军、王刚、郭丽伟、金士锋、郭建刚、许燕萍、彭同华...
[会议论文] 作者：彭同华, 陈小龙,
来源：配套材料产业发展交流对接会 年份：2020
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[会议论文] 作者：杨慧,彭同华,陈小龙,
来源：第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份：2006
SiC材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子速度、高击穿电场等特性决定SiC器件可以在高温大功率下工作,在国民经济各方面具有广泛的应用.而SiC材料在高温,大功率和高频半导体器...
[期刊论文] 作者：赵宁, 刘春俊, 王波, 彭同华,,
来源：无机材料学报 年份：2018
采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体。用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC晶体,并利用光学显微镜研究了晶体中的堆垛层...
[会议论文] 作者：郭钰, 彭同华, 蔡振立, 陈小龙,,
来源： 年份：2015
碳化硅（SiC）具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,是制作高亮度发光二极管、场效应晶体管等器件的理想衬底材料[1]。碳化硅晶片在机械加工过程中会......
[期刊论文] 作者：江汉文,俞星星,薛名山,彭同华,洪珍,梁丹妮,
来源：南昌航空大学学报:自然科学版 年份：2021
随着社会的发展和科学技术的进步,电子设备和仪器越来越趋向精密化、小型化和高性能化,而效能提升随即带来对导热散热的高需求。其中,碳化硅(SiC)由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性,在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广......
[会议论文] 作者：王波,彭同华,刘春俊,赵宁,陈小龙,
来源：第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份：2012
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[会议论文] 作者：王波,彭同华,刘春俊,赵宁,陈小龙,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料，其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求而受到人们越来越多的关注。但SiC晶体生长过程中仍有很多缺陷有待研究，如微管，位错等[1]。在掺N的6H的SiC晶体中发现一种类似平面六方空洞......
[期刊论文] 作者：郭钰, 彭同华, 刘春俊, 杨占伟, 蔡振立,,
来源：无机材料学报 年份：2019
本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类。其中I...
[期刊论文] 作者：郭钰,彭同华,刘春俊,杨占伟,蔡振立,
来源：无机材料学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：郭钰,彭同华,刘春俊,杨占伟,蔡振立,
来源：无机材料学报 年份：2019
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[会议论文] 作者：娄艳芳,彭同华,王波,刘春俊,刘振洲,陈小龙,
来源：第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份：2012
本文采用PVT(Physical Vapor Transport Method)方法生长出高质量4英寸SiC单晶。利用线切割、研磨和机械化学抛光等技术，最终获得了高结晶质量、低表面粗糙度的SiC晶片。...
[会议论文] 作者：王波[1]彭同华[1]刘春俊[1]赵宁[1]陈小龙[2],
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料，其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求而受到人们越来越多的关注。但SiC晶体生长过程...
[期刊论文] 作者：娄艳芳,巩拓谌,张文,郭钰,彭同华,杨建,刘春俊,
来源：人工晶体学报 年份：2020
使用物理气相传输法（PVT）制备出直径209 mm的4H-SiC单晶，并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X-射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备，对8英寸衬底的晶型、结晶质......
[期刊论文] 作者：郭钰,彭同华,刘春俊,袁文霞,蔡振立,张贺,王波,,
来源：人工晶体学报 年份：2017
选用二氧化硅抛光液抛光4H导电Si C晶片表面,探究影响Si C晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,Si C表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作...
[会议论文] 作者：彭同华, 刘春俊, 王波, 王锡铭, 郭钰, 赵宁, 娄艳芳,
来源： 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[会议论文] 作者：刘春俊,彭同华,王波,赵宁,王锡明,娄艳芳,陈小龙,
来源：第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份：2012
本研究着重研究了籽晶极性对4H-SiC晶体的晶型、电学性质以及杂质含量的影响，分析了籽晶极性对SiC晶体生长的影响机理。...
[期刊论文] 作者：彭同华, 刘春俊, 王波, 王锡铭, 郭钰, 赵宁, 李龙远,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
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