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[期刊论文] 作者：张年满,
来源：核聚变与等离子体物理 年份：1998
用ＳｉＨ４与Ｈｅ混合气体辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉放放电的等离子体气相沉积法，对ＨＬ－１Ｍ装置的内壁，分别进行硅化和锂涂覆。...
[期刊论文] 作者：张年满,
来源：核聚变与等离子体物理 年份：1987
本文用线性升温热脱附法研究GH39不锈钢及LFM铝的脱附现象。得到它们的主要脱附气体的脱附速率的温度特性,即热脱附谱,脱附反应级数和脱附激活能。可为聚变装置真空室的选材...
[期刊论文] 作者：张年满,
来源：真空 年份：1987
用线性升温法对不同方法预处理过的 ＧＨ３９、 １Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ不锈钢及 ＬＦＭ铝样品进行热解吸实验研究，得到主要解吸气体为Ｈ２、Ｈ２Ｏ、ＣＯ和ＣＯ２，测得了出气峰位温度、峰值速度及单位表面积的组份出气量和总出气量，估算......
[期刊论文] 作者：洪文玉,张年满,
来源：四川真空 年份：1994
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[期刊论文] 作者：洪文玉,张年满,
来源：四川真空 年份：1996
ＨＬ－１Ｍ装置放电初期，硅收集探针暴露于等离子体边缘，利用表面分析分析研究等离子体刮离层中的主要杂质组分为Ｃ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ和Ａｌ同时给出刮离层中的杂质流通及其分布。......
[期刊论文] 作者：李家全,张年满,
来源：物理学报 年份：2002
分别对游离态的氘 氘核系统 ,磁阱位形下的氘等离子体 ,共有电子对约束的氘 氘核系统 ,以及在晶格强力约束下实现了高密度积累的氘 氘核系统中氘核间库仑相互作用的位能曲...
[期刊论文] 作者：朱毓坤,张年满,,
来源：真空与低温 年份：2006
对HL环流器系列装置，开发了蒽-丙酮荧光液渗透检漏用于真空内衬的零部件检漏，灵敏度可以达到10^-9Pa·m^3·s^-1，示漏位置分辨小于0．5mm；对大容器真空检漏，采用四极质谱计...
[期刊论文] 作者：张年满,王恩耀,
来源：核聚变与等离子体物理 年份：1998
用碳硼烷加氢直流辉光放电，在ＨＬ－１Ｍ托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜，平均厚度５０－７０ｎｍ硼碳比约为１：６。硼化后器壁条件有了本质的改善，对器壁上氧源的抑制特别显著，也增强了石墨表面抗氢离子和氢......
[期刊论文] 作者：王志文,张年满,
来源：核聚变与等离子体物理 年份：1998
通过对ＨＬ－１Ｍ装置的氦直流辉光放电清洗（Ｈｅ－ＧＤＣ）的放电特点和清除率的研究，发现环形真空室的对称性导致与阳性截面对称的区域的场强很弱，使其阴极位降区的厚度大于氦离子的平均自由程，严重影响......
[期刊论文] 作者：姚良骅,张年满,
来源：核聚变与等离子体物理 年份：1997
本文简要叙述了ＨＬ－１Ｍ的ＤＣ辉光放电清洗技术和放电结果。实验表明，类似ＨＬ－１Ｍ托卡马克装置的真空室，经过烘烤，Ｔａｙｌｏｒ放电和ＤＣ放电清洗后，有可能得到高品质的等离子体。......
[期刊论文] 作者：王志文,张年满,
来源：真空与低温 年份：1998
对ＨＬ－１Ｍ的硅化石墨样品和北京科技大学研制的耐高温等离子体冲刷的功能梯度材料的真空性能和耐溅射性能进行初步比较研究，证明铜基上的碳化硼（Ｂ４Ｃ／Ｃｕ）和ＳｉＣ／Ｃ这两种梯度材料适用于用作面向等离子......
[期刊论文] 作者：王明旭,张年满,
来源：四川真空 年份：1998
将ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪改成研究第一壁材料及其涂层，新材料性能的重要实验设备。在ＨＬ－１Ｍ装置设计，安装和物理实验过程中，我们用该设备对ＨＬ－１Ｍ装置真空室用ＡＩＳＩ３０４Ｌ不锈钢，第一壁用ＳＭＦ－８００石墨材料及ＨＬ－１Ｍ装置原位硼化......
[期刊论文] 作者：王明旭,张年满,
来源：真空与低温 年份：1998
ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能，对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质，热辐射和再循环进行了研究，并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。......
[期刊论文] 作者：王志文,张年满,
来源：真空与低温 年份：1998
通过对ＨＬ－１Ｍ的氦直流辉光放电清洗（ＨｅＧＤＣ）的放电特点和清除效率的研究，发现环形真空室的对称性导致与阳极截面相对称的区域的场强很弱，使其阴极位降区厚度远大于氦离子的平均自由程，严重影响......
[期刊论文] 作者：王明旭,张年满,
来源：四川真空 年份：1998
ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸气对真空室内壁进行了原位硼化，取得了满意的效果，采用沉积探针技术并结合四级极质谱分析技术对膜的成分，热解释性能Ｄ束辐照化学腐蚀性能，ＨＬ－１Ｍ装置第一壁成膜的平均速率和膜......
[期刊论文] 作者：王明旭,张年满,
来源：四川真空 年份：1999
ＨＬ－１Ｍ装置运行期间，一直在探索适合本装置的壁处理技术，分别研究了硼化、硅化和锂涂覆技术。其中，硼化、硅化处理技术已经成熟，硅化已成为装置的常规壁处理技术，时涂覆还在探索中。实验......
[期刊论文] 作者：张年满,王恩耀,
来源：四川真空 年份：1996
用无毒，不燃固体材料碳硼烷与氦直流辉光放电在ＨＬ－１Ｍ内壁上原位涂复了含碳硼膜，平均厚度５０－７０ｎｍ，碳硼比约为１：６。硼化后器壁条件有了本质的改善。尽管省去了每天长达１５小时的放电清洗，但本底真空仍......
[期刊论文] 作者：王明旭,张年满,
来源：四川真空 年份：1998
自ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能，本文对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质，热辐射和再循环进行了研究，并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析......
[期刊论文] 作者：张年满,王恩耀,
来源：四川真空 年份：1997
分别用１０％ＳｉＨ４＋９０％Ｈｅ辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉光放电的等离子体气相沉积法对Ｈ－１Ｍ装置的内壁进行了硅化和锂涂复，进一步降低了装置硼化后的杂质和辐射功率损失，对氢有强轴气效应和低再循......
[期刊论文] 作者：王志文,张年满,
来源：四川真空 年份：1997
通过对ＨＬ－１Ｍ的氦直流辉光放电清洗（ＨｅＧＤＣ）的放电特点和清除效率的研究，发现环形真空室的对称性导致与阳极截面相对称的截面的电场为零的中性截面，该截面及附近的场强很弱，使其阴极位降区的厚......
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