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[学位论文] 作者：尉吉勇,
来源：山东大学 年份：2003
该论文利用EMCORE公司的D180型MOCVD设备进行了InGaAsP、InGaAIP材料体系的外延生长.精确控制源的参数,采用EPISON原位控制In源浓度,采用原位监测装置控制生长,采用温度和流...
[期刊论文] 作者：尉吉勇,黄伯标,等,
来源：光电子．激光 年份：2002
生长了InGaAsp/InGaP/In（AlGa)P材料分别限制应变量子阱半导体激光器，发光波长780nm。利用电化学C-V表征材料掺杂，掺杂浓度达10^18cm^-1。利用荧光PL及EL表征其光学性质，PL峰为76...
[期刊论文] 作者：郑立仁,黄柏标,尉吉勇,,
来源：物理学报 年份：2009
以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的...
[期刊论文] 作者：郑立仁,黄柏标,尉吉勇,,
来源：高等学校化学学报 年份：2009
利用碳辅助CVD方法，在1100—1140℃、常压、N2／H2气氛下，以Fe—Al—O复合体系为催化剂，在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线．该纳米线直径为20～200nm，长数百微米．利用透射电镜、......
[期刊论文] 作者：郑立仁,黄柏标,尉吉勇,,
来源：物理学报 年份：2009
以二茂铁和硅油作为催化剂和原料,利用高温裂解硅油为C,Si,O源,在常压N2和H2混合气氛的化学气相沉积管式炉中制备了大量直径为5—40nm、长数百纳米的非晶SiO2纳米线簇及粒径...
[会议论文] 作者：尉吉勇, 黄柏标, 秦小燕, 张晓阳,,
来源： 年份：2004
利用MOCVD方法生长650nm发光波长的谐振腔发光二极管,利用光致发光谱和电致发光谱研究了其发光特性。由于上下布拉格发射镜的影响,导致其光致发光强度只有普通二极管的1/20;...
[期刊论文] 作者：郑立仁,黄柏标,尉吉勇,戴瑛,,
来源：物理学报 年份：2012
通过高温裂解法制备了非晶SiO_x:C颗粒,该颗粒在空气中经不同温度进行煅烧.利用傅里叶红外光谱、扫描电子显微镜和荧光光谱仪对SiO_x:C颗粒样品的结构、形貌和光学性质进行了...
[期刊论文] 作者：王茜,董学仁,尉吉勇,马玉真,
来源：自动化仪表 年份：2004
将神经网络技术应用于智能传感器,可赋予传感器更多的智能.重点介绍了神经网络在智能传感器中的多方面应用.指出算法的改进、与其它技术以及人工智能相结合是神经网络、人工...
[期刊论文] 作者：陈文澜,黄柏标,齐云,于永芹,周海龙,尉吉勇,潘教青,
来源：激光与光电子学进展 年份：2002
共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景...
[期刊论文] 作者：李宪林,黄柏标,朱宝富,于永芹,尉吉勇,秦晓燕,
来源：人工晶体学报 年份：2004
本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响.我们分别在350℃、370℃、380℃、400℃和420℃温度下生长了ZnO薄...
[期刊论文] 作者：周海龙, 黄柏标, 潘教青, 于永芹, 尉吉勇, 陈文澜, 齐云,
来源：量子电子学报 年份：2003
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[期刊论文] 作者：于永芹, 黄柏标, 尉吉勇, 潘教青, 周海龙, 齐云, 陈文澜,
来源：量子电子学报 年份：2003
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[期刊论文] 作者：尉吉勇,黄柏标,于永芹,张琦,姚书山,张晓阳,秦晓燕,
来源：人工晶体学报 年份：2005
利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间...
[期刊论文] 作者：崔得良,尉吉勇,潘教青,郝霄鹏,徐现刚,蒋民华,
来源：功能材料 年份：2001
用微波水热方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,研究了粒度对复合材料发光波长及发光效率的影响.结果表明:在微波水热条件下,GaP纳米晶的晶体结构不发生变化,只是在复合...
[期刊论文] 作者：尉吉勇, 黄柏标, 秦晓燕, 张晓阳, 张琦, 姚书山, 朱宝富,
来源：光电子·激光 年份：2005
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[期刊论文] 作者：周海龙,黄柏标,于永芹,尉吉勇,潘教青,齐云,陈文澜,张晓阳,
来源：光电子．激光 年份：2002
用电化学C-V和I-V特性分析的方法,对Mg掺杂在MOCVD生长AlGaI nP发光二极管(LED)的影响进行了研究.通过电化学C-V分析,确定了在生长结构中Mg掺杂从有源层到GaP窗口层由高到低...
[期刊论文] 作者：潘教青,黄柏标,张晓阳,岳金顺,秦晓燕,于永芹,尉吉勇,
来源：光电子·激光 年份：2003
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量.PL结果表明,10 s生长中断...
[期刊论文] 作者：朱宝富,黄柏标,秦晓燕,李先林,姚书山,尉吉勇,张琦,
来源：人工晶体学报 年份：2004
我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄...
[期刊论文] 作者：周海龙,黄柏标,潘教青,于永芹,尉吉勇,陈文澜,齐云,张晓阳,
来源：量子电子学报 年份：2003
在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的L...
[期刊论文] 作者：于永芹,黄柏标,尉吉勇,潘教青,周海龙,齐云,陈文澜,秦晓燕,
来源：量子电子学报 年份：2003
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3 nm和6 nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别...
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