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[期刊论文] 作者：王培林,周士仁,
来源：材料科学与工艺 年份：1993
利用范德堡－霍尔测量方法对ＭＣＺ硅单晶的反型杂质含量进行了对比测量，所得结果表明，ＭＣＺ硅单晶的反型杂质含量低于ＣＺ硅单晶约半个数量级之多，文中还提出了一种适合于大指范德堡－霍尔测量的接......
[期刊论文] 作者：周士仁,胡世忠,
来源：半导体技术 年份：2004
通过离子探针分析,少子寿命监测和对诱生缺陷形成情况的观察分析证明,经过双吸除技术处理的晶片,在经受了器件制造工艺条件下的多次高温处理后,含杂量和二次缺陷密度普遍低于...
[期刊论文] 作者：王培林,魏科,周士仁,
来源：半导体学报 年份：1994
用控制容积法对布里兹曼法碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算．介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析．虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情......
[期刊论文] 作者：蓝慕杰,赵显峰,周士仁,
来源：激光与红外 年份：1996
介绍了一种利用ＥＤＸ和自动数据处理程序相结合，用于ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的描述方法。实际使用结果表明，该方法满足ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的要求，具有快速直观的特点，对指导工艺调整有重要意义......
[期刊论文] 作者：王培林,周士仁,杨晶琦,杨晓辉,,
来源：材料科学与工艺 年份：1993
利用范德堡-霍尔测量方法对MCZ硅单晶和CZ硅单晶的反型杂质含量进行了对比测量。所得结果表明,MCZ硅单晶的反型杂质含量低于CZ硅单晶约半个数量级之多。文中还提出了一种适合...
[期刊论文] 作者：王培林,刁凤斌,魏科,周士仁,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：1994
用数值计算方法研究了在Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统中生长ＨｇＣｄＴｅ晶体时拉晶速度对热场分布的影响。计算结果表明，大的拉晶速度会造成固液界面向下位移，并使之凹陷现象加剧，不利于获得径向均匀性好的单晶材料......
[期刊论文] 作者：王柏林,王贵华,周士仁,孙安纳,
来源：半导体技术 年份：1979
通过实验证明了汽相生长的硅外延层中,经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所呈现出的雾状微缺陷,是由铜、铁、镍、钠、磨料等杂质沾污所致;验明了“渍圈”区是与重沾污区相对应的,在轻沾污...
[期刊论文] 作者：王培林,魏科,张国艳,周士仁,
来源：材料研究学报 年份：1994
综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ（１－ｘ）ＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作，评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作．This review su......
[期刊论文] 作者：王培林,邓开举,张国艳,周士仁,
来源：半导体学报 年份：1996
用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布．考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况．结果表明，偏心温度场可提高晶......
[期刊论文] 作者：蓝慕杰,叶水驰,鲍海飞,周士仁,姚枚,
来源：材料研究学报 年份：2000
在横向磁场中用 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁......
[期刊论文] 作者：叶以正, 周士仁, 钦万昌, 周伟东, 高扬, 杨奎,,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：2004
本文介绍了“双重吸杂技术”的优点,它比目前常规“POGO”技术,减少了三次CVD 工艺过程,操作简便,有利于大批量生产;报导了具有双重吸杂机制的晶片之吸杂效果。实验证明,不仅...
[期刊论文] 作者：蓝慕杰,叶水驰,鲍海飞,于杰,周士仁,王培林,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：1999
介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过......
[期刊论文] 作者：叶以正,周士仁,刘成武,张泽华,陈晓光,吕桂英,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：1985
实验证明,经双吸除和本征吸除两种工艺处理后,硅片的机械强度有较大增加。从而可以认为硅片中引入的高密度层错和位错网络将对硅片的碎裂起阻止作用Experiments show that...
[期刊论文] 作者：鲍海飞,叶水驰,兰慕杰,袁保红,何代义,周士仁,王骐,
来源：半导体学报 年份：1998
对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾．利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性，用光学显微镜观察了薄......
[期刊论文] 作者：周士仁, 纪彦蜀, 孔庆茂, 高元恺, 王守雨, 韩长林, 傅择,
来源：半导体学报 年份：1987
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[期刊论文] 作者：周士仁,纪彦蜀,孔庆茂,高元恺,王守雨,韩长林,傅择国,
来源：半导体学报 年份：1987
本文在概述了 MCZ(Magnetic-field-applied CZ)技术的理论基础上,介绍了由作者们所研制的两种新型MCZ 硅单晶炉——“Y”形磁场和螺旋管全封闭式非线性磁场硅单晶炉,并在横向...
[期刊论文] 作者：周士仁,叶以正,叶水驰,麦振洪,戴道扬,杨家德,陈慕章,
来源：半导体学报 年份：1988
本文介绍了双吸除技术在CCD制造中的应用结果,证明了双吸除技术的通用性;通过对缺陷蚀象形貌的实验观察及电镜微观研究,证明磷比缺陷的吸杂能力强;利用离子对模型所做的估算...
[期刊论文] 作者：周士仁,王贵华,孙安纳,王柏林,严仁谨,苏跃青,张丽婵,欧阳仪偋,
来源：半导体技术 年份：1980
通过实验,证明了n/n~+外延层经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所形成的“雾状”微缺陷,可导至p-n结的软击穿和低击穿,是降低器件成品率的重要原因之一.针对此种情况,提出了三种在外延层...
[期刊论文] 作者：叶以正,周士仁,修志伟,钦万昌,南昌范,高杨,周伟东,杨奎,薛正镠,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：1982
本文介绍了用CVD 技术通过SiH_4+H_2系统在硅片上沉积硬质Si_3N_4可吸除外延层和CZ 单晶中微缺陷的实验结果。证明在硅片背面生长上Si_3N_4可显著地吸除外延层中的“雾状”微...
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