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[期刊论文] 作者：李长英,忽满利,王胜远,韩雁勤,徐大纶,程昭,吴荣汉,张权生,
来源：激光杂志 年份：1995
４０８自锁高速双光子开关的研究李长英，忽满利，王胜远，韩雁勤（西北大学物理系统激光教研室，西安７１００６９）徐大纶，程昭，吴荣汉，张权生（中科院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室）基于对ＣＣＴＳ光双稳逻辑功...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,,
来源：光电子·激光 年份：1997
半导体砷化镓超晶格量子阱反射式光调制器是八十年代后期发展起来的一种新颖的光电混合型光逻辑开关器件。它利用超晶格量子阱二维自由激子吸收在外电场作用下的非线性...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,
来源：特种设备安全技术 年份：2005
本文以某公司的一起列管式换热器严重腐蚀为例（结构如下图）进行分析。...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,
来源：物理 年份：2000
文章从光信息的传输、交换与处理、存储与读出、获取与显示等重要技术领域的发展，介绍了半导体信息光电子学的现状以及在未来信息网络发展中的关键地位。...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,,
来源：福建农机 年份：2015
快装锅炉广泛应用于中小企业以及机关、宾馆、学校、餐饮等服务性行业,水垢造成的受压部件非正常损坏事故时有发生,而机关、宾馆、学校、餐饮等服务性行业往往是人员汇集的公...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,,
来源：质量技术监督研究 年份：2013
特种设备安装质量是保证特种设备安全运行的有力保证，而特种设备安装单位的质量保证体系的完整性和运转是否正常，是保证特种设备安装质量的前提，文章通过对现阶段特种设备安装单......
[期刊论文] 作者：潘钟,吴荣汉,
来源：光子学报 年份：1996
本文研究了增益波导垂直腔面发射激光器的横向及纵向模式特性，采用二维延伸抛物型复折射率波导结构从理论上分析了增益波导垂直腔面发射激光器中模式的横向电场分布，模式间隔，模......
[期刊论文] 作者：赵建和,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1990
本文采用速率方程讨论了双区共腔双稳激光器获得超短光脉冲的方法及特点。结果表明,采用一般的电脉冲触发,利用双稳激光器的Q开关长延时特性,能够获得质量较高的超短光脉冲。...
[期刊论文] 作者：曾安,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1989
在10K至292K温度范围内测量了GaAs/GaAlAs多量子阱结构的激子吸收谱.观察到轻、重空穴对应的激子吸收峰(LH和HH)及台阶状态密度.研究了轻、重空穴激子吸收峰的能量间隔及激子...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,段海龙,
来源：半导体学报 年份：1990
我们研制了GaAs/GaAlAs多量子阱pin结构的SEED器件。分析了器件的光电流光谱、光电流-电压特性。对于如何实现器件光学双稳态工作的有关问题进行了讨论。...
[期刊论文] 作者：王启明,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1990
本文报道了GaAs/GaAlAs侧向增益波导限制双稳激光器的静态及动态实验结果,对L—1特性,通态模式竞争、延迟特性、张弛振荡、有脉动、混沌现象等进行了研究,并对结果进行了讨论...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,陈志标,
来源：半导体学报 年份：1998
本文计算了不同折射率膜层下，非对称法布里珀罗腔模式波长随膜层厚度的变化。分析了在膜层折射率较低时，模式波长随层厚的增加反而减小的机理，并在实验中研究了这种现象。利用湿......
[期刊论文] 作者：张权生,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1992
一种平面掩埋异质结构（PBH）InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值...
[期刊论文] 作者：陈弘达,吴荣汉,
来源：天津大学学报 年份：1998
研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的电场光调制特性，测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明，在Ｉ－Ｖ特性中存在光电流负微分电阻区，由这种多量子阱材料制备的自电光效应器件（ＳＥＥＤ）观察到明......
[期刊论文] 作者：吴荣汉,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1991
采用国产分子束外延系统生长的GaAs/GaAlAs多量子阱材料,成功地制备出室温自电光效应(Self Electrooptic Effect)光学双稳态器件(SEED).报道了这种器件在对称工作(S-SEED)和...
[期刊论文] 作者：陈弘达,吴荣汉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱光探测器，光调制器与ＧａＡｓ场效应晶体管混合集成，构成ＦＥＴ－ＳＥＥＤ灵巧象元。光探测器和光调制器均为反射型自电光效应器件，光源为量子阱半导体激光器。测出的光输出Ｐｏｕｔ／光输出Ｐｉｎ特性表明，光输......
[会议论文] 作者：张权生,吴荣汉,
来源：全国第七次光纤通信学术会议 年份：1995
该文介绍了自行设计并研制成功的多功能ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双稳／增益开关激光器的实用化特性。...
[期刊论文] 作者：徐大鹏,吴荣汉,
来源：Science in China,Ser.A 年份：1999
Cubic GaN was grown on GaAs (100) by low pressure metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). X-ray diffraction, scanning electron microscope (SEM) and ph...
[期刊论文] 作者：张权生,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1986
本文从求解连续方程出发,分析了作者们参与研制的GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中含有双异质结激光器结构的晶体管异质基区的输运特性,讨论了各自的影响.求得了激射有源区中载...
[期刊论文] 作者：葛惟锟,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：1986
在测量较深能级和最浅能级两种情况时,导纳谱(DLAS)得到的速率值具有完全不同的含义.对于前者,DLAS和DLTS结果一致,给出能级的热发射深度。△Eem;对于后者,DLAS和Hall结果一...
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